Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGA6065ADF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 650 V | 1.8 V | 20 V | 120 A | 306 W | - 55 C | + 175 C | FGA6065ADF | Tube | ||
FGA60N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A FIELD STOP | ![]() | Нет | Si | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | 120 A | - 55 C | + 150 C | FGA60N60UFD | Tube | |||||
FGA60N65SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 60A Field Stop IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | 650 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 600 W | FGA60N65SMD | Tube | |||||
FGA6530WDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 650V SHD prolferation | ![]() | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.8 V | 20 V | 60 A | 176 W | - 55 C | + 175 C | FGA6530WDF | Tube | ||
FGA6540WDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V | ![]() | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 650 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 238 W | - 55 C | + 175 C | FGA6540WDF | Tube | ||
FGA6560WDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO3PN 60A 650V | ![]() | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 650 V | 1.8 V | 30 V | 120 A | 306 W | - 55 C | + 175 C | FGA6560WDF | Tube | ||
FGA90N33ATDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 330V 90A PDP Trench | ![]() | Нет | Si | TO-3PN-3 | Through Hole | Single | 330 V | 30 V | - 55 C | + 150 C | FGA90N33ATD | Tube | |||||
FGAF20N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W | ![]() | Нет | Si | TO-3PF | Through Hole | 600 V | 1.9 V | 20 V | 40 A | 62.5 W | - 55 C | + 175 C | FGAF20N60SMD | Tube | |||
FGAF40N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 80 A 79 W | ![]() | Нет | Si | TO-3PF | Through Hole | 600 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 79 W | - 55 C | + 175 C | FGAF40N60SMD | Tube | |||
FGAF40N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ultrafast | ![]() | Нет | Si | TO-3PF-3 | Through Hole | Single | 600 V | 3.1 V | 20 V | 40 A | 100 W | - 55 C | + 150 C | FGAF40N60UFD | Tube | ||
FGAF40N60UFTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A/600V/ IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-3PF-3 | Through Hole | Single | 600 V | 3 V | 20 V | 40 A | 100 W | - 55 C | + 150 C | FGAF40N60UF | Tube | ||
FGB20N60SF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | 600 V | 2.2 V | 20 V | 40 A | 208 W | FGB20N60SF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
FGB20N60SFD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop | ![]() | Нет | Si | TO-263AB | Through Hole | 600 V | 2.8 V | 20 V | 40 A | 83 W | FGB20N60SFD | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A FSP IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.4 V | 20 V | 40 A | 208 W | - 55 C | + 150 C | FGB20N60S_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGB3040CS | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign | ![]() | Нет | Si | TO-263-6 | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | FGB3040CS | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
FGB3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 400 V | 1.15 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | FGB3040G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGB3056-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK IGNITION IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263AB | SMD/SMT | Single | 560 V | 1 V | 10 V | 29 A | 200 W | - 40 C | + 175 C | FGB3056_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGB3236-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT | ![]() | Нет | Si | FGB3236_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||||
FGB3245G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSpark2 450V Ignition IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 450 V | 1.64 V | 10 V | 23 A | 150 W | - 40 C | + 175 C | FGB3245G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGB3440G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 400 V | 1.6 V | 10 V | 26.9 A | 166 W | - 40 C | + 175 C | FGB3440G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGB40N60SM | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 | ![]() | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 349 W | - 55 C | + 175 C | FGB40N60SM | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGB40T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 2.9 V | 20 V | 80 A | 267 W | - 55 C | + 175 C | FGB40T65SPD | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGB5N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.4 V | 20 V | 10 A | 73.5 W | - 55 C | + 150 C | FGB5N60UNDF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGB7N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7A NPT IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.1 V | 20 V | 14 A | 83 W | - 55 C | + 150 C | FGB7N60UNDF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGBS3040E1-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMART IGBT | ![]() | Нет | Si | FGBS3040_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »