Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGD2736G3-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 360 V | 1.45 V | 14 V | 21 A | 150 W | - 40 C | + 175 C | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGD3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-252 | SMD/SMT | 400 V | 1.15 V | 10 V | 23.2 A | 150 W | - 40 C | + 125 C | FGD3040G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGD3245G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2-450V Ignition IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-252AA-3 | SMD/SMT | Single | 450 V | 1.64 V | 10 V | 23 A | 150 W | - 40 C | + 175 C | FGD3245G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGD3325G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 250 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | FGD3325G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
FGD3440G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-252 | SMD/SMT | 400 V | 1.1 V | 14 V | 26.9 A | 166 W | - 40 C | + 125 C | FGD3440G2_F085 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGD3N60LSDTM | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT HID Application | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGD3N60LSD | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
FGD3N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.4 V | 20 V | 6 A | 60 W | - 55 C | + 150 C | FGD3N60UNDF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGD5T120SH | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 5A Field Stop Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 1.2 kV | 2.9 V | 25 V | 10 A | 69 W | - 55 C | + 150 C | FGD5T120SH | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
FGH12040WD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | FGH12040WD_F155 | Tube | ||||||||||||
FGH15T120SMD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247G03-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.9 V | 25 V | 30 A | 333 W | - 55 C | + 175 C | FGH15T120SMD | Tube | ||
FGH20N60SFDTU-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 20A 600V FS IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.2 V | 20 V | 40 A | 165 W | - 55 C | + 150 C | FGH20N60SF_F085 | AEC-Q101 | Tube | |
FGH20N60SFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop | ![]() | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH20N60SFD | Tube | |||||
FGH20N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop | ![]() | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH20N60UFD | Tube | |||||
FGH25N120FTDS | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A Field Stop Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | FGH25N120FTDS | Tube | ||||||||||||
FGH25T120SMD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247G03-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.9 V | 25 V | 50 A | 428 W | - 55 C | + 175 C | FGH25T120SMD | Tube | ||
FGH30N60LSDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PDD | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH30N60LSD | Tube | |||||
FGH30S130P | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1300V 30A FS SA Trench IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1300 V | 1.9 V | 25 V | 60 A | 500 W | - 55 C | + 175 C | FGH30S130P | Tube | ||
FGH30S150P | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SA2TIGBT TO247 30A 1500V | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.5 kV | 2.15 V | 25 V | 60 A | 500 W | - 55 C | + 175 C | FGH30S150P | Tube | ||
FGH40N120ANTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT | ![]() | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 25 V | - 55 C | + 150 C | FGH40N120AN | Tube | |||||
FGH40N60SFDTU-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 40A 600V FS IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 290 W | - 55 C | + 150 C | FGH40N60SF_F085 | AEC-Q101 | Tube | |
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Field Stop | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH40N60SFD | Tube | |||||
FGH40N60SFTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH / 40A 600V FS Planar | ![]() | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | Single | 600 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 290 W | - 55 C | + 150 C | FGH40N60SF | Tube | ||
FGH40N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A Field Stop IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 2.1 V | 80 A | 349 W | - 55 C | + 150 C | FGH40N60SMD | Tube | |||||
FGH40N60SMDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2 | ![]() | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 600 V | 1.9 V | 20 V | 80 A | 349 W | - 55 C | + 150 C | FGH40N60SMDF | Tube | |||
FGH40N60SMDF-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A FIELD STOP IGBT | ![]() | Нет | Si | FGH40N60DF_F085 | AEC-Q101 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »