Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V2.3 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWT20V60DFTube
STGWT20V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWT20V60FTube
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gte field-stop IGBTНетSiTO-3P-3Through HoleSingle1.25 kV2.65 V20 V60 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWT28IH125DFTube
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWT30H60DFBTube
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.75 V20 V30 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWT30H65FBTube
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V2.35 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGWT30V60DFTube
STGWT30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWT30V60FTube
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40H60DLFBTube
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40H65DFBTube
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-3P-3Through HoleSingle650 V1.6 V30 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40HP65FB
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40V60DFTube
STGWT60H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.6 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWT60H60DLFBTube
STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWT60H65DFBTube
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A375 W- 40 C+ 175 CSTGWT60H65FBTube
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBTНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWT60V60DFTube
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpdНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.6 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGWT80H65DFBTube
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.6 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGWT80H65FBTube
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80AНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.85 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGWT80V60DFTube
STGWT80V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.85 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGWT80V60FTube
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 50A Max247НетSiMax247-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGY40NC60VDTube
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 65A N-ChannelНетSiMax247-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGY50NC60WDTube
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiMax247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V160 A625 W- 55 C+ 175 CSTGYA120M65DF2
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads packageНетSiMAX-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V160 A625 W- 55 C+ 175 CSTGYA120M65DF2AGAEC-Q101
T835-600HSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Snubberless Logic Lv Standard 8A TriacНетSiT835Tube
FGH30T65UPDT-F155ON Semiconductor / FairchildБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS1TIGBT TO247 30A 650VНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V2.1 V20 V60 A250 W- 55 C+ 175 CFGH30T65UPDTTube

Страницы