Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V200 W- 55 C+ 150 CSTGW30NC60WDTube
STGW30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.35 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGW30V60DFTube
STGW30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGW30V60FTube
STGW35HF60WSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ultra Fast IGBT 35A 600VНетSiTO-247Through Hole2.5 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGW35HF60WTube
STGW35HF60WDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.5 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGW35HF60WDTube
STGW35HF60WDISTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBTНетSiSTGW35HF60WDITube
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 35A 600VНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGW35NB60SDTube
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.8 V/1.7 V20 V250 W- 55 C+ 150 CSTGW39NC60VDTube
STGW40H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGW40H120DF2Tube
STGW40H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGW40H120F2Tube
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40H60DLFBTube
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.8 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40H65DFBTube
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 packageНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40H65DFB-4
STGW40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40H65FBTube
STGW40M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGW40M120DF3Tube
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A - 600V Short circuit rugged IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V20 V250 W- 55 C+ 150 CSTGW40NC60KDTube
STGW40V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40V60DFTube
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40V60DLFTube
STGW40V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40V60FTube
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW60H60DLFBTube
STGW60H65DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through Hole650 V2.1 V20 V120 A360 WSTGW60H65DFTube
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW60H65DFBTube
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW60H65DFB-4
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGTНетSiTO-247SMD/SMT650 V1.9 V20 V120 A360 WSTGW60H65DRFTube
STGW60H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A375 W- 40 C+ 175 CSTGW60H65FBTube

Страницы