Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGF6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V12 A24.2 W- 55 C+ 175 CSTGF6M65DF2
STGF6NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.9 V20 V20 W- 55 C+ 150 CSTGF6NC60HDTube
STGF7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGF7H60DF
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.2 V20 V15 A25 W- 55 C+ 150 CSTGF7NB60SLTube
STGF8NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFETНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGF8NC60KD
STGFW20H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A52 W- 55 C+ 175 CSTGFW20H65FBTube
STGFW20V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle600 V1.8 V20 V40 A52 W- 55 C+ 175 CSTGFW20V60DFTube
STGFW20V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3PF-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V40 A52 W- 55 C+ 175 CSTGFW20V60FTube
STGFW30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A58 W- 55 C+ 175 CSTGFW30H65FBTube
STGFW30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle600 V1.85 V20 V60 A58 W- 55 C+ 175 CSTGFW30V60DFTube
STGFW30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3PF-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V60 A58 W- 55 C+ 175 CSTGFW30V60FTube
STGFW40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle650 V2 V80 A62.5 WSTGFW40H65FB
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle600 V1.8 V20 V80 A62.5 W- 55 C+ 175 CSTGFW40V60DFTube
STGFW40V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle600 V1.8 V20 V80 A62.5 W- 55 C+ 175 CSTGFW40V60FTube
STGFW80V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-3PFThrough HoleSingle600 V1.85 V20 V120 A79 W- 55 C+ 175 CSTGFW80V60F
STGP10H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpdНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V20 A115 W- 55 C+ 175 CSTGP10H60DFTube
STGP10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiSTGP10M65DF2Tube
STGP10NB60SSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 AmpНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.7 V20 V20 A80 W- 55 C+ 150 CSTGP10NB60STube
STGP10NB60SDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESHНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V20 V3.5 W- 65 C+ 150 CSTGP10NB60SDTube
STGP10NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBTНетSiTO-220-3SMD/SMTSingle600 V1.9 V20 V56 W- 55 C+ 150 CSTGP10NC60HDTube
STGP10NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2 V20 V25 W- 55 C+ 150 CSTGP10NC60KDTube
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2 V20 V11 A28 W- 55 C+ 150 CSTGP14NC60KDTube
STGP15H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpdНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V30 A115 W- 55 C+ 175 CSTGP15H60DFTube
STGP15M120F3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 packageДаSiTO-220-3Through HoleSingle1.2 kV1.85 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGP15M120F3
STGP15M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low lossНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V30 A136 W- 55 C+ 175 CSTGP15M65DF2

Страницы