Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 440 V | 16 V | - 65 C | + 150 C | STGB10NB37LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 1.8 V | 1.2 V | 12 V | 20 A | 150 W | - 55 C | + 150 C | STGB10NB40LZT4 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB10NC60HD | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB10NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.1 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB14NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
STGB15H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.6 V | 20 V | 30 A | 115 W | - 55 C | + 175 C | STGB15H60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 30 A | 136 W | - 55 C | + 175 C | STGB15M65DF2 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 360 V | 12 V | - 55 C | + 150 C | STGB18N40LZT4 | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
STGB19N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Si | STGB19N40LZ | AEC-Q100 | ||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60HDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB20H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | ![]() | Да | Si | STGB20H60DF | |||||||||||||
STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 166 W | - 55 C | + 175 C | STGB20M65DF2 | |||
STGB20N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 425 V | 1.5 V | 16 V | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGB20N40LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | 450 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGB20N45LZAG | AEC-Q101 | |||
STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 20 V | 2 V | 12 V | 40 A | 200 W | - 55 C | + 150 C | STGB20NB41LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
STGB20NC60V | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 60 A | 200 W | - 55 C | + 150 C | STGB20NC60V | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB20V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 167 W | - 55 C | + 175 C | STGB20V60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB20V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 167 W | - 55 C | + 175 C | STGB20V60F | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | 400 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGB25N40LZAG | AEC-Q101 | |||
STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H60DFB | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H60DLFB | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | ![]() | Да | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.7 V | 20 V | 30 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H60DLLFBAG | AEC-Q101 | ||
STGB30H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package | ![]() | Да | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H65FB | |||
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | ![]() | Нет | Si | STGB30M65DF2 | Cut Tape, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »