Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle440 V16 V- 65 C+ 150 CSTGB10NB37LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 AmpНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle1.8 V1.2 V12 V20 A150 W- 55 C+ 150 CSTGB10NB40LZT4AEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600VНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB10NC60HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFETНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB10NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V2.1 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB14NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB15H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.6 V20 V30 A115 W- 55 C+ 175 CSTGB15H60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB15M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V30 A136 W- 55 C+ 175 CSTGB15M65DF2Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 VНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle360 V12 V- 55 C+ 150 CSTGB18N40LZT4AEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB19N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiSTGB19N40LZAEC-Q100
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19AНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB19NC60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB19NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGB20H60DF
STGB20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V40 A166 W- 55 C+ 175 CSTGB20M65DF2
STGB20N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally ClampedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle425 V1.5 V16 V150 W- 55 C+ 175 CSTGB20N40LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiD2PAK-3SMD/SMT450 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGB20N45LZAGAEC-Q101
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 AmpНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle20 V2 V12 V40 A200 W- 55 C+ 150 CSTGB20NB41LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20NC60VSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGB20NC60VCut Tape, MouseReel, Reel
STGB20V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGB20V60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB20V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGB20V60FCut Tape, MouseReel, Reel
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiD2PAK-3SMD/SMT400 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGB25N40LZAGAEC-Q101
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DFBCut Tape, MouseReel, Reel
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DLFBCut Tape, MouseReel, Reel
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedДаSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.7 V20 V30 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DLLFBAGAEC-Q101
STGB30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK packageДаSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H65FB
STGB30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGB30M65DF2Cut Tape, Reel

Страницы