Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGB30V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.85 V | 20 V | 60 A | 258 W | - 55 C | + 175 C | STGB30V60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB30V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.85 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30V60F | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | ![]() | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | 1200 V | 2.3 V | 20 V | 14 A | 75 W | STGB3NC120HD | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGB40H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | - 55 C | + 175 C | STGB40H65FB | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB40V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 283 W | - 55 C | + 175 C | STGB40V60F | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 8 A | 68 W | - 55 C | + 175 C | STGB4M65DF2 | |||
STGB5H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 10 A | 88 W | - 55 C | + 175 C | STGB5H60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB6M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 12 A | 88 W | - 55 C | + 175 C | STGB6M65DF2 | |||
STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.7 V | 20 V | 80 W | - 55 C | + 150 C | STGB6NC60HDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB7H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | ![]() | Нет | Si | STGB7H60DF | |||||||||||||
STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.5 V | 20 V | 10 A | 25 W | - 55 C | + 150 C | STGB7NC60HD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | ![]() | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB8NC60KD | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.75 V | 20 V | 18 A | 62.5 W | - 55 C | + 175 C | STGD10HF60KD | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD10NC60H | Cut Tape, Reel | |||||
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD10NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET | ![]() | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGD14NC60K | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 360 V | 12 V | - 55 C | + 150 C | STGD18N40LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
STGD19N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 390 V | 1.35 V | 16 V | 125 W | - 55 C | + 175 C | STGD19N40LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGD20N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 425 V | 1.5 V | 16 V | 125 W | - 55 C | + 175 C | STGD20N40LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGD20N45LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | 450 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGD20N45LZAG | AEC-Q101 | |||
STGD25N40LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | 400 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGD25N40LZAG | AEC-Q101 | |||
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM | ![]() | Нет | Si | DPAK | SMD/SMT | 600 V | 2.95 V | 20 V | 7.5 A | 38 W | - 55 C | + 150 C | STGD3HF60HDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp | ![]() | Нет | Si | TO-252-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 6 A | 48 W | - 65 C | + 150 C | STGD3NB60SD | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |
STGD3NC120H-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBT | ![]() | Нет | Si | STGD3NC120H | |||||||||||||
STGD4M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | Si | DPAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 8 A | 68 W | - 55 C | + 175 C | STGD4M65DF2 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »