Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGB30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.85 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGB30V60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.85 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30V60FCut Tape, MouseReel, Reel
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH UltrafastНетSiD2PAKSMD/SMT1200 V2.3 V20 V14 A75 WSTGB3NC120HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGB40H65FBCut Tape, MouseReel, Reel
STGB40V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGB40V60FCut Tape, MouseReel, Reel
STGB4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V8 A68 W- 55 C+ 175 CSTGB4M65DF2
STGB5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V10 A88 W- 55 C+ 175 CSTGB5H60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V12 A88 W- 55 C+ 175 CSTGB6M65DF2
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V2.7 V20 V80 W- 55 C+ 150 CSTGB6NC60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGB7H60DF
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 AmpНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V2.5 V20 V10 A25 W- 55 C+ 150 CSTGB7NC60HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFETНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB8NC60KDCut Tape, MouseReel, Reel
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diodeНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V2.75 V20 V18 A62.5 W- 55 C+ 175 CSTGD10HF60KDAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600VНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD10NC60HCut Tape, Reel
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10AНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD10NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFETНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD14NC60KCut Tape, MouseReel, Reel
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle360 V12 V- 55 C+ 150 CSTGD18N40LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD19N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle390 V1.35 V16 V125 W- 55 C+ 175 CSTGD19N40LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD20N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EASНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle425 V1.5 V16 V125 W- 55 C+ 175 CSTGD20N40LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiDPAK-3SMD/SMT450 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGD20N45LZAGAEC-Q101
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiDPAK-3SMD/SMT400 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGD25N40LZAGAEC-Q101
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSMНетSiDPAKSMD/SMT600 V2.95 V20 V7.5 A38 W- 55 C+ 150 CSTGD3HF60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 AmpНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V6 A48 W- 65 C+ 150 CSTGD3NB60SDAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBTНетSiSTGD3NC120H
STGD4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V8 A68 W- 55 C+ 175 CSTGD4M65DF2Cut Tape, MouseReel, Reel

Страницы