Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGD5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V10 A83 W- 55 C+ 175 CSTGD5H60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 AmpНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle1200 V2 V20 V10 A55 W- 55 C+ 150 CSTGD5NB120SZCut Tape, MouseReel, Reel
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBTНетSiIPAK-3Through HoleSingle1200 V20 V+ 150 CSTGD5NB120SZTube
STGD6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V12 A88 W- 55 C+ 175 CSTGD6M65DF2Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBTНетSiIPAK-3Through HoleSingle600 V1.9 V20 V15 A62.5 W- 55 C+ 150 CSTGD6NC60H-1Tube
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V1.9 V20 V50 W- 55 C+ 150 CSTGD6NC60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 AmpНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V1.6 V20 V15 A55 W- 65 C+ 150 CSTGD7NB60SCut Tape, MouseReel, Reel
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 AmpНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V2.5 V20 V25 A70 W- 55 C+ 150 CSTGD7NC60HT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFETНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGD8NC60KDCut Tape, MouseReel, Reel
STGF10H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpdНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.5 V20 V20 A30 W- 55 C+ 175 CSTGF10H60DF
STGF10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.8 V20 V20 A30 W- 55 C+ 175 CSTGF10M65DF2
STGF10NB60SDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 AmpНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.8 V20 V20 A25 W- 55 C+ 150 CSTGF10NB60SDTube
STGF10NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V2 V20 V25 W- 55 C+ 150 CSTGF10NC60KDTube
STGF14NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V2 V20 V- 55 C+ 150 CSTGF14NC60KDTube
STGF15H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpdНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.6 V20 V30 A30 W- 55 C+ 175 CSTGF15H60DFTube
STGF15M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V30 A31 W- 55 C+ 175 CSTGF15M65DF2
STGF19NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V1.8 V/1.6 V20 V35 W- 55 C+ 150 CSTGF19NC60HDTube
STGF19NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBTНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle600 V2 V20 V35 A32 W- 55 C+ 150 CSTGF19NC60KDTube
STGF20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V2 V20 V40 A37 W- 55 C+ 175 CSTGF20H60DFTube
STGF20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A32.6 W- 55 C+ 175 CSTGF20M65DF2
STGF20NB60SSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 13A-600VНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGF20NB60STube
STGF30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A38 W- 55 C+ 175 CSTGF30M65DF2
STGF3NC120HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 AmpНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle1200 V2.8 V20 V6 A25 W- 55 C+ 150 CSTGF3NC120HDTube
STGF4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V8 A23 W- 55 C+ 175 CSTGF4M65DF2
STGF5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V10 A24 W- 55 C+ 175 CSTGF5H60DF

Страницы