Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
RJH60F5DPK-00#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F5DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F6DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F7DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60M0DPQ-E0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60M1DPE-00#J3Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiReel
RJH60M1DPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60M2DPE-00#J3Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiReel
RJH60M2DPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60T04DPQ-A1#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 650V TO247AНетSiTO-247A-3Through HoleSingle600 V1.5 V30 V60 A208.3 W- 55 C+ 150 CTube
RJH60V2BDPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60V3BDPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH65T46DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/40A/TO-247AНетSiTO-247A-3Through HoleSingle650 V1.8 V30 V80 A340.9 W- 55 C+ 175 CTube
RJH65T47DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247AНетSiTO-247A-3Through HoleSingle650 V1.8 V30 V90 A375 W- 55 C+ 175 CTube
RJP4009ANS-01#Q6Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT for strobe flashНетSiTube
RJP4010AGE-00#P5Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Strobe IGBTНетSiTube
RJP6085DPN-00#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead FreeНетSiTube
RJP60D0DPE-00#J3Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead FreeНетSiReel
RJP60D0DPK-00#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead FreeНетSiTube
RJP60D0DPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead FreeНетSiTube
RJP60F0DPE-00#J3Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead FreeНетSiTube
RJP60F4DPM-00#T1Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead FreeНетSiTube
IXGH48N60C3C1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600VНетSiCTO-247AD-3IXGH48N60Tube
IXGP30N60C3C1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30AНетSiCIXGP30N60Tube
AFGHL50T65SQDCON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBDНетSiCTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V100 A268 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Tube

Страницы