Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IRG4PC50KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.2 V20 V52 A104 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PC50SDPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.36 V20 V70 A200 W- 55 CTube
IRG4PC50SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.36 V20 V70 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PC50UDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2 V20 V55 A200 W- 55 CTube
IRG4PC50UPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2 V20 V55 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PC50WPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V55 A200 W- 55 CTube
IRG4PC60FPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.8 V20 V90 A520 W- 55 CTube
IRG4PC60UPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2 V20 V75 A520 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PF50WDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle900 V2.25 V20 V51 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PF50WPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle900 V2.25 V20 V51 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH20KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.17 V20 V11 A60 W- 55 CTube
IRG4PH20KPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.17 V20 V11 A60 W- 55 CTube
IRG4PH30KDPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.1 V20 V20 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH30KPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.1 V20 V20 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH40KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.4 V20 V30 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH40KPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.4 V20 V30 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH40UD2-EPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV2.43 V20 V41 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH40UDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV2.43 V20 V41 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH40UPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.5 V20 V30 A160 W- 55 CTube
IRG4PH50KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.5 V20 V45 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH50KPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.5 V20 V45 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH50SPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V DC-1kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV1.75 V20 V57 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH50UDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.7 V20 V45 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PH50UPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV3.7 V20 V45 A200 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4PSC71KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHzНетSiTO-274-3Through HoleSingle600 V1.83 V20 V85 A350 W- 55 C+ 150 CTube

Страницы