Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
NGTD17R120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST RECНетSiBulk
NGTD17T65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC11 FAST IGBT UНетSiBulk
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGBTНетSiBulk
NGTD20T120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGBНетSiBulk
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CN86 FAST IGBT DНетSiBulk
NGTD21T65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CN86 FAST IGBT UНетSiBulk
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A CJ52 FAST IGBTНетSiBulk
NGTD23T120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A CJ52 FAST IGBНетSiBulk
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A CK46 IGBT DIE SAНетSiBulk
NGTD28T65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A CK46 IGBT UNSAWNНетSiBulk
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A CJ57 FAST IGBTНетSiBulk
NGTD30T120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A CJ57 FAST IGBTНетSiBulk
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC87 LOW VF RECTНетSiBulk
NGTD5R65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC87 LOW VF REНетSiBulk
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC14 FAST RECTIFНетSiBulk
NGTD8R65F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC14 FAST RECTНетSiBulk
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FASTНетSiBulk
NGTD9R120F2WPON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FASНетSiBulk
NGTG12N60TF1GON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PFНетSiTO-3PF-3LThrough Hole600 V1.6 V20 V24 A54 WNGTG12N60TF1GTube
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A VERY FAST IGBTНетSiTube
NGTG15N60S1EGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBTНетSiTO-220-3Through Hole600 V1.95 V20 V30 A47 WNGTG15N60S1Tube
NGTG20N60L2TF1GON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PFНетSiTO-3PF-3LThrough HoleSingle600 V1.65 V20 V40 A64 WNGTG20N60L2TF1GTube
NGTG25N120FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT ONLY FНетSiTube
NGTG35N65FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII TНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V2.2 V20 V70 A300 W- 55 C+ 175 CTube
NGTG40N120FL2WGON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSIIНетSiTube

Страницы