Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT64GA90B2D30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 T-MAX | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT64GA90LD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 900 V | 2.5 V | 30 V | 117 A | 500 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT65GP60B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 65A, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT65GP60L2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT68GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT68GA60LD40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR120B2 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 70A, TO-247 T-MAX | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR120JD60 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 70A, SOT-227 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR120L | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 70A, T0264 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR65B2DU40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR65B2SCD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT75GN120B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT75GN120JDQ3 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | Si | SOT-227-4 | SMD/SMT | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 124 A | 379 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GN120LG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-264, RoHS | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 200 A | 833 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GN60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT75GN60LDQ3G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.45 V | 30 V | 155 A | 536 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT75GP120B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | T-Max-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 30 V | 100 A | 1.042 kW | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GT120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 75A, SOT-227 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT80GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 143 A | 625 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GA60LD40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 | Нет | Si | TO-264-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 143 A | 625 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GA90B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT80GA90LD40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | Да | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT95GR65B2 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 95A, TO-247 T-MAX | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 30 V | 208 A | 892 W | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
STGB10H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 20 A | 115 W | - 55 C | + 175 C | STGB10H60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Нет | Si | STGB10M65DF2 | Cut Tape, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »