Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGW60V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW60V60DFTube
STGW60V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW60V60FTube
STGW75M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V120 A468 W- 55 C+ 175 CSTGW75M65DF2
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80AНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGW80H65DFBTube
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedДаSiSTGW80H65DFB-4
STGW80H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGW80H65FBTube
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedДаSiSTGW80H65FB-4
STGW80V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate V series 600V 80A HiSpdНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGW80V60DFTube
STGW80V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGW80V60FTube
STGW8M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V16 A167 W- 55 C+ 175 CSTGW8M120DF3Tube
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWA15H120DF2
STGWA15H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWA15H120F2
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V30 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWA15M120DF3Tube
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.55 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWA15S120DF3Tube
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast DiodeНетSiTO-247Through HoleSingle600 V1.8 V20 V52 A208 W- 55 C+ 150 CSTGWA19NC60HDTube
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A166 W- 55 C+ 175 CSTGWA20M65DF2
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA25H120DF2
STGWA25H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA25H120F2
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV1.85 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA25M120DF3Tube
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.6 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA25S120DF3Tube
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedДаSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWA30H60DFB
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads packageДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWA30H65DFB
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWA30H65FB
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGWA30M65DF2Tube
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBTНетSiSTGWA30N120KDTube

Страницы