Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV2.5 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGWA40H120DF2
STGWA40H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGWA40H120F2
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.6 V2 V-283 W+ 175 CSTGWA40H60DLFB
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWA40H65DFB
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packageНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V72 A230 W- 55 C+ 175 CTube
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWA40H65FB
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TO-247 LONG LEADSДаSiTO-247-3Through Hole72 A227 W- 55 C+ 175 CSTGWA40HP65FB2Tube
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V72 A227 W- 55 C+ 175 CSTGWA40HP65FB2
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 long leads packageДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.5 V20 V80 A238 W- 55 C+ 175 CSTGWA40IH65DF
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGWA40M120DF3Tube
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A 1200V short circuit rugged IGBTНетSiSTGWA40N120KDTube
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.65 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGWA40S120DF3Tube
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.5 V20 V100 A300 WSTGWA50IH65DF
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA50M65DF2
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V2 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA60H65DFB
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGWA60V60DF
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V120 A488 W- 55 C+ 175 CSTGWA75M65DF2
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGWA80H65FBTube
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low lossДаSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V16 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWA8M120DF3
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCEНетSiTO-3PFThrough HoleSingle1.5 V- 55 C+ 150 CSTGWF30NC60STube
STGWT15H60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.6 V20 V30 A115 W- 55 C+ 175 CSTGWT15H60FTube
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWT20H60DFTube
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A168 W- 55 C+ 175 CSTGWT20H65FBTube
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedНетSiTO-3P-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A168 W- 55 C+ 175 CSTGWT20HP65FB
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle1.25 kV2.55 V20 V40 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWT20IH125DFTube

Страницы