Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 349 W | - 55 C | + 175 C | FGH40N60SM_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Field Stop | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH40N60UFD | Tube | ||||||
FGH40N60UFTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Field Stop | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH40N60UF | Tube | ||||||
FGH40N65UFDTU-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-ch / 40A 650V IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 290 W | - 55 C | + 150 C | FGH40N65UF_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-ch / 40A 650V | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 650 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH40N65UFD | Tube | ||||||
FGH40T100SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 1000 V | 2.3 V | 20 V | 80 A | 333 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T100SMD | Tube | ||||
FGH40T100SMD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS1TIGBT TO247 40A 1000V | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
FGH40T120SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3L | Through Hole | Single | 1200 V | 1.8 V | 25 V | 80 A | 555 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T120SMD | Tube | |||
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-247G03-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2 V | 25 V | 80 A | 555 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T120SMD | Tube | |||
FGH40T120SMDL4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2 TIGBT excellent swtching performance | Нет | Si | TO-247-4 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 25 V | 80 A | 555 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T120SMDL4 | Tube | |||
FGH40T65SHDF-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.45 V | 30 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65SHDF | Tube | |||
FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 40A 650V | Нет | Si | FGH40T65SHD | Tube | |||||||||||||
FGH40T65SH-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65SH | Tube | |||
FGH40T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 267 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65SP_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH40T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650 V 80 A 268 W | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 650 V | 2.1 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T65UPD | Tube | ||||
FGH40T65UQDF-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.33 V | 20 V | 80 A | 231 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 700 V | 2.37 V | 20 V | 80 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH40T70SHD | Tube | |||
FGH50N3 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 300V PT N-Channel | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 300 V | 1.3 V | 20 V | 75 A | 463 W | - 55 C | + 150 C | FGH50N3 | Tube | |||
FGH50T65SQD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 268 W | - 55 C | + 175 C | FGH50T65SQD | Tube | |||
FGH50T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650 V 100 A 240 W | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 650 V | 2.1 V | 25 V | 100 A | 240 W | - 55 C | + 175 C | FGH50T65UPD | Tube | ||||
FGH60N60SFDTU-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 60A 600V FS IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.2 V | 20 V | 120 A | 378 W | - 55 C | + 150 C | FGH60N60SF_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH60N60SFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch/ 60A 600V FS | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH60N60SFD | Tube | ||||||
FGH60N60SFTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH / 600V 60A/ FS | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH60N60SF | Tube | ||||||
FGH60N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | 600 V | 1.9 V | 20 V | 120 A | 600 W | - 55 C | + 150 C | FGH60N60SMD | Tube | ||||
FGH60N60SMD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.14 V | 20 V | 120 A | 600 W | - 55 C | + 175 C | FGH60N60SM_F085 | AEC-Q101 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »