Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH60N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch/ 60A 600V FS | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH60N60UFD | Tube | ||||||
FGH60N60UFDTU-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch/ 60A 600V FS IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 120 A | 298 W | - 55 C | + 150 C | FGH60N60UF_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 60A 650V | Нет | Si | FGH60T65SHD | Tube | |||||||||||||
FGH75N60UFTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH / 600V 75A FS Planar | Нет | Si | TO-247AB-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH75N60UF | Tube | ||||||
FGH75T65SHDT-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 455 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SHDT | Tube | |||
FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan | Нет | Si | TO-247-4 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 455 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SHDTL4 | Tube | |||
FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 75A 650V | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | FGH75T65SHD | Tube | |||||||||||
FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 375 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SQDTL4 | Tube | |||
FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 150 A | 375 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65SQD | Tube | |||
FGH75T65UPD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 150A 187W | Нет | Si | TO-247 | Through Hole | Single | 650 V | 2.3 V | 20 V | 150 A | 187 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65UPD | Tube | |||
FGH75T65UPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A FS TRENCH IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 2.21 V | 20 V | 150 A | 375 W | - 55 C | + 175 C | FGH75T65UPD | AEC-Q101 | Tube | ||
FGH75T65UPD-F155 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V,75A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | FGH75T65UPD | Tube | |||||||||||||
FGH80N60FD2TU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 80A Field Stop | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH80N60FD2 | Tube | ||||||
FGH80N60FDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Field Stop | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGH80N60FD | Tube | ||||||
FGI3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 - 400V IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-262AA-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | FGI3040G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGI3236-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition | Нет | Si | TO-262 | Through Hole | - 40 C | + 175 C | FGI3236_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||||||||
FGL12040WD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A Field Stop Trench IGBT | Нет | Si | 1200 V | FGL12040WD | Tube | ||||||||||||
FGL35N120FTDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A Trench IGBT | Нет | Si | FGL35N120FTD | Tube | |||||||||||||
FGL40N120ANDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT IGBT | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 25 V | - 55 C | + 150 C | FGL40N120AND | Tube | ||||||
FGL40N120ANTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT IGBT | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 25 V | - 55 C | + 150 C | FGL40N120AN | Tube | ||||||
FGL60N100BNTD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1000 V | 1.5 V | 25 V | 60 A | 180 W | - 55 C | + 150 C | FGL60N100BNTD | Tube | |||
FGL60N100BNTDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1000 V | 1.5 V | 25 V | 60 A | 180 W | - 55 C | + 150 C | FGL60N100BNTD | Tube | |||
FGP10N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A NPT IGBT | Нет | Si | TO-220-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.3 V | 20 V | 10 A | 139 W | - 55 C | + 150 C | FGP10N60UNDF | Tube | |||
FGP15N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A NPT IGBT | Нет | Si | TO-220-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.7 V | 20 V | 30 A | 178 W | - 55 C | + 150 C | FGP15N60UNDF | Tube | |||
FGP20N60UFDTU | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop | Нет | Si | TO-220-3 | Through Hole | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | FGP20N60UFD | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »