Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGP3040G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-220AB-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.68 V | 10 V | 41 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | FGP3040G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGP3440G2-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Нет | Si | TO-220AB-3 | Through Hole | Single | 400 V | 1.6 V | 10 V | 26.9 A | 166 W | - 40 C | + 175 C | FGP3440G2_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGP5N60LS | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/5A Field Stop Low Vcesat | Нет | Si | TO-220-3 | Through Hole | 600 V | 1.8 V | 20 V | 10 A | 83 W | - 55 C | + 125 C | FGP5N60LS | Tube | ||||
FGPF10N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT | Нет | Si | TO-220F | Through Hole | 600 V | 2 V | 20 A | 17 W | FGPF10N60UNDF | Tube | |||||||
FGPF15N60UNDF | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT | Нет | Si | TO-220F | Through Hole | 600 V | 2.2 V | 30 A | 17 W | FGPF15N60UNDF | Tube | |||||||
FGPF4565 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS1TIGBT TO220F 650V | Нет | Si | TO-220F | Through Hole | 650 V | 1.88 V | 25 V | 30 A | 30 W | - 55 C | + 150 C | FGPF4565 | Tube | ||||
FGY120T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.5 V | 20 V | 240 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY120T65S_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY160T65SPD-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 240 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY160T65S_F085 | AEC-Q101 | Tube | ||
FGY40T120SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2TIGBT TO247 40A 1200V | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 2 V | 30 V | 80 A | 882 W | - 55 C | + 175 C | FGY40T120SMD | Tube | |||
FGY75N60SMD | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 75A Field Stop IGBT | Нет | Si | Power-247 | Through Hole | 600 V | 1.9 V | 20 V | 150 A | 750 W | FGY75N60SMD | Tube | ||||||
FSAM50SM60A | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V -50A SMART POWER MODULE | Нет | Si | SPM32-AA | SMD/SMT | 2.4 V | 100 W | - 20 C | + 125 C | FSAM50SM60A | Tube | |||||||
FGA25S125P-SN00337 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V | Нет | Si | TO-3PN | Through Hole | Single | 1250 V | 1.8 V | 6 V | 50 A | 250 W | - 55 C | + 175 C | FGA25S125P | Tube | |||
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 1200 V | 2.7 V | 20 V | 35 A | 298 W | - 55 C | + 150 C | HGT1S10N120BNS | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
HGT1S20N60C3S9A | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Нет | Si | TO-263AB-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.4 V | 20 V | 45 A | 164 W | - 55 C | + 150 C | HGT1S20N60C3S | Reel | |||
HGTD1N120BNS9A | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series | Нет | Si | TO-252AA-3 | SMD/SMT | Single | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 5.3 A | 60 W | - 55 C | + 150 C | HGTD1N120BNS | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
HGTD7N60C3S9A | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Нет | Si | TO-252AA-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.6 V | 20 V | 14 A | 60 W | - 40 C | + 150 C | HGTD7N60C3S | Reel | |||
HGTG10N120BND | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2.45 V | 20 V | 17 A | 298 W | - 55 C | + 150 C | HGTG10N120BND | Tube | |||
HGTG11N120CND | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2.1 V | 20 V | 43 A | 298 W | - 55 C | + 150 C | HGTG11N120CND | Tube | |||
HGTG12N60C3D | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.65 V | 20 V | 24 A | 104 W | - 40 C | + 150 C | HGTG12N60C3D | Tube | |||
HGTG18N120BND | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2.45 V | 20 V | 54 A | 390 W | - 55 C | + 150 C | HGTG18N120BND | Tube | |||
HGTG20N60A4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 70 A | 290 W | - 55 C | + 150 C | HGTG20N60A4 | Tube | |||
HGTG20N60A4D | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 70 A | 290 W | - 55 C | + 150 C | HGTG20N60A4D | Tube | |||
HGTG20N60B3 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 165 W | - 40 C | + 150 C | HGTG20N60B3 | Tube | |||
HGTG20N60B3D | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 20 A | 165 W | - 40 C | + 150 C | HGTG20N60B3D | Tube | |||
HGTG30N60A4 | ON Semiconductor / Fairchild | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 75 A | 463 W | - 55 C | + 150 C | HGTG30N60A4 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »