Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IGD01N120H2Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1AНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle1200 V20 V- 40 C+ 150 CIGD01N120Cut Tape, MouseReel, Reel
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. CombinatiНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V12 A88 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTCut Tape, Reel
IGP06N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6AНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V12 A88 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGP06N60TXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6AНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V12 A88 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGP10N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10AНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V24 A110 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10AНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V24 A110 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGP15N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15AНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V26 A130 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGP20N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600VНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V40 A170 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGP20N65F5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V42 A125 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGP20N65H5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V42 A125 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGP30N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187WНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V60 A187 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGP30N65F5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.9 V20 V55 A188 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGP30N65F5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.9 V20 V55 A188 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGP30N65H5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGP40N65F5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBTДаSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.9 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGP40N65F5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.9 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGP40N65H5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBTДаSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.95 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGP50N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50AНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V90 A333 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGP50N60TXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50AНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V90 A333 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGU04N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTRENCHSTOP IGBTTube
IGW03N120H2Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V20 V- 40 C+ 150 CIGW03N120Tube
IGW08T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V16 A70 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW100N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V140 A714 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW15N120H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V30 A217 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube

Страницы