Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IGW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGW50N65H5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBTДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGW60N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V80 A416 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW60T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V100 A375 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW60T120FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V100 A375 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW75N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V140 A428 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW75N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 75AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V150 A428 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 75AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V150 A428 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrougДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V120 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V161 A536 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V85 A273 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V119 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV1.5 V20 V30 A156 W- 40 C+ 150 CTube
IHW15N120R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.48 V20 V30 A254 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.48 V20 V30 A254 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N120R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.48 V20 V40 A310 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.48 V20 V40 A310 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N120R5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V40 A288 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N135R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.6 V20 V40 A310 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.6 V20 V40 A310 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N135R5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RCНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V40 A288 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RCНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V40 A288 W- 40 C+ 175 CRCTube

Страницы