Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IHW20N65R5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.35 V20 V40 A150 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 RC-HTube
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV1.5 V20 V50 A231 W- 40 C+ 150 CTube
IHW25N120R2Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.6 V20 V50 A365 W- 40 C+ 175 C600V TRENCHSTOPTube
IHW30N110R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1100 V1.55 V20 V60 A333 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1100 V1.55 V20 V60 A333 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW30N120R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RCНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V60 A349 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RCНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V60 A349 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1350V IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V60 A330 W- 40 C+ 175 CRC-H5Tube
IHW30N135R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RCНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V60 A349 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V60 A349 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V60 A330 W- 40 C+ 175 CRC-H5Tube
IHW30N160R2Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1600 V1.8 V20 V60 A312 W- 40 C+ 175 C600V TRENCHSTOPTube
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1600 V1.8 V20 V60 A312 W- 40 C+ 175 C600V TRENCHSTOPTube
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO-247-3Through HoleSingle1600 V1.85 V20 V60 A263 W- 40 C+ 175 CTube
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon combines the industry leading performance of the TRENCHSTOP 5 family with the technology innovation of the reverse conducting RC-H IGBTs to create a new generation of best-in-class devices. WiДаSiTO-247-3TRENCHSTOP 5 RC-HTube
IHW40N120R3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RCНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V80 A429 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V80 A429 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1350V IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.55 V20 V80 A394 W- 40 C+ 175 CRC-H5Tube
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V80 A429 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1350 V1.65 V20 V80 A394 W- 40 C+ 175 CRC-H5Tube
IHW40N60RInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.65 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW40N60RFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.65 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CRCTube
IHW40N65R5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.35 V20 V80 A230 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 RC-HTube
IHW50N65R5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.35 V20 V80 A282 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 RC-HTube

Страницы