Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IGW15T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V30 A110 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW20N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.4 V20 V40 A170 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW25N120H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V50 A326 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V50 A326 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW25N120H3XKInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V50 A326 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW25T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V50 A190 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW30N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V60 A187 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW30N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V60 A187 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW30N60TPXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandinНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V53 A200 W- 40 C+ 175 C600V TRENCHSTOPTube
IGW30N65L5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.05 V20 V85 A227 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 L5Tube
IGW40N120H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V80 A483 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW40N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306WНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V80 A306 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW40N60TPXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandinНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V67 A246 W- 40 C+ 175 C600V TRENCHSTOPTube
IGW40N65F5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBTДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube
IGW40N65H5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBTДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V74 A250 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IGW40T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V75 A270 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW50N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333WНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V100 A333 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IGW50N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V90 A333 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V90 A333 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW50N60TPXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandinНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V90 A333 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IGW50N65F5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBTДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A305 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 F5Tube

Страницы