Поиск элементов в базе
По вашему запросу "HGTG10N120BND" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| HGTG10N120BND Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch |
Fairchild Semiconductor |  |
 |
13110 20-25 дней |
| HGTG10N120BNDNL Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch |
Fairchild Semiconductor |  |
|
277 20-25 дней |
| HGTG10N120BNDQ Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch |
Fairchild Semiconductor |  |
|
256 20-25 дней |
| HGTG10N120BND_Q Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch |
Fairchild Semiconductor |  |
|
от 21-27 |
| HGTG10N120BND_NL | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | от 21-27 |
