Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF1000R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KAНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V1390 A400 nA6.25 kWPRIME3- 40 C+ 150 CTray
FF100R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.2 V150 A400 nA780 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF100R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & DiodeНетIGBT Silicon Modules1200 V2 V100 nA555 W- 40 C+ 150 CTray
FF1200R12IE5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V1200 A400 nA20 mWPrimePACK- 40 C+ 175 CTray
FF1400R12IP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.4KAНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.05 V1400 A400 nA7.65 kWPRIME3- 40 C+ 150 CTray
FF1400R17IP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700VНетIGBT Silicon Modules1700 V2.2 V1400 A400 nA9.55 kW- 40 C+ 150 CTray
FF150R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V225 A400 nA780 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF150R12KE3G_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF150R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.2 V225 A400 nA1.25 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF150R12KT3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.15 V225 A400 nA780 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF150R12ME3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V200 A400 nA695 WEconoDUAL-3- 40 C+ 125 CTray
FF150R12MS4GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.7 V225 A400 nA1250 WEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF150R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V150 A100 nA790 WModule- 40 C+ 150 CTray
FF150R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V200 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FF150R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700VНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V250 A100 nA1100 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF150R17ME3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V240 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF1800R17IP5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1700 V1.75 V1800 A400 nA8.95 kWPRIME3- 40 C+ 175 CTray
FF200R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260AНетIGBT Silicon ModulesDual600 V260 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF200R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF200R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.05 V240 A400 nA1100 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF200R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.2 V275 A400 nA1.4 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF200R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V295 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF200R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V320 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF200R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 390AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V390 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF200R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1700VНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V310 A100 nA1250 W62 mm- 40 C+ 150 CTray

Страницы