Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 1390 A | 400 nA | 6.25 kW | PRIME3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF100R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.2 V | 150 A | 400 nA | 780 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF100R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2 V | 100 nA | 555 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF1200R12IE5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 1200 A | 400 nA | 20 mW | PrimePACK | - 40 C | + 175 C | Tray | ||
FF1400R12IP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.4KA | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 1400 A | 400 nA | 7.65 kW | PRIME3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF1400R17IP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.2 V | 1400 A | 400 nA | 9.55 kW | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF150R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 225 A | 400 nA | 780 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||
FF150R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.2 V | 225 A | 400 nA | 1.25 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF150R12KT3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.15 V | 225 A | 400 nA | 780 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF150R12ME3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | 695 W | EconoDUAL-3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF150R12MS4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.7 V | 225 A | 400 nA | 1250 W | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF150R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 790 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF150R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 200 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF150R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 250 A | 100 nA | 1100 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF150R17ME3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 240 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF1800R17IP5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 1.75 V | 1800 A | 400 nA | 8.95 kW | PRIME3 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||
FF200R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 260 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF200R12KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||
FF200R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 240 A | 400 nA | 1100 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF200R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.2 V | 275 A | 400 nA | 1.4 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF200R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 295 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF200R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 320 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF200R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 390A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 390 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF200R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1700V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 310 A | 100 nA | 1250 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »