Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF900R12IP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V900 A400 nA5.1 kWPRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900AДаIGBT Silicon Modules1200 V900 APRIME2- 40 C+ 150 CTray
FP100R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100AДаIGBT Silicon ModulesArray 7600 V1.9 V100 A100 nA335 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP100R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V2.1 V100 A100 nA5.15 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP100R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V100 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP10R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10a Easy MountНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V16 A400 nA55 WEasyPIM2- 40 C+ 125 CTray
FP10R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V2 V16 A400 nA68 WEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP10R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENTДаIGBT Silicon Modules1200 V2.45 V15 A400 nA20 mW- 40 C+ 125 CTray
FP10R12W1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V20 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP10R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V16 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FP15R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A EASY2НетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V20 A400 nA78 WEasyPIM2- 40 C+ 125 CTray
FP15R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22AДаIGBT Silicon ModulesArray 7600 V2 V22 A400 nA81 WEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP15R06YE3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 15AНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.55 V22 A400 nA71.5 WModule- 40 C+ 150 CTray
FP15R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V27 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FP15R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM Econo2B 1200V, 15AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V25 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FP15R12W1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V28 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP15R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25AНетIGBT Silicon ModulesArray 71200 V25 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FP20R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A EASY MOUNTДаIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V25 A400 nA78 WEasyPIM2- 40 C+ 125 CTray
FP20R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 27AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V27 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP20R06YE3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V40 A170 WModule- 40 C+ 175 CTray
FP25R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V40 A400 nA150 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
FP25R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V40 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FP25R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25AНетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V1.85 V25 A100 nA160 WModule- 40 C+ 150 CTray
FP25R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200VНетIGBT Silicon ModulesDual Modules1200 V1.85 V100 nA160 WModule- 40 C+ 150 CTray
FP25R12U1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200VНетIGBT Silicon ModulesPIM 3-Phase Input Rectifier1200 V1.85 V39 A400 nA190 WSmartPIM1- 40 C+ 150 CTray

Страницы