Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF900R12IP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 900 A | 400 nA | 5.1 kW | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 900 A | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FP100R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 1.9 V | 100 A | 100 nA | 335 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP100R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.1 V | 100 A | 100 nA | 5.15 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP100R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 100 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP10R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10a Easy Mount | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 16 A | 400 nA | 55 W | EasyPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP10R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 2 V | 16 A | 400 nA | 68 W | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP10R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.45 V | 15 A | 400 nA | 20 mW | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FP10R12W1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 20 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP10R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 16 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP15R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A EASY2 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 20 A | 400 nA | 78 W | EasyPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP15R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 2 V | 22 A | 400 nA | 81 W | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP15R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 15A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.55 V | 22 A | 400 nA | 71.5 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP15R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 27 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP15R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM Econo2B 1200V, 15A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 25 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP15R12W1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 28 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP15R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 25 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP20R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A EASY MOUNT | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 25 A | 400 nA | 78 W | EasyPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP20R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 27A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 27 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP20R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 40 A | 170 W | Module | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FP25R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 40 A | 400 nA | 150 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP25R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 40 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP25R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 1.85 V | 25 A | 100 nA | 160 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP25R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual Modules | 1200 V | 1.85 V | 100 nA | 160 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP25R12U1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | PIM 3-Phase Input Rectifier | 1200 V | 1.85 V | 39 A | 400 nA | 190 W | SmartPIM1 | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »