Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF400R12KT3P_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 400 A | 400 nA | - | Module | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF400R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 3.4 V | 660 A | 400 nA | 4.8 kW | IHM | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF450R06ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 550A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 550 A | Econo D | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF450R07ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.95 V | 560 A | 100 nA | 1450 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF450R12IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 450 A | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF450R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 520A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.15 V | 520 A | 400 nA | 2400 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF450R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 580 A | 400 nA | 2400 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF450R12ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 600 A | 400 nA | 2.1 kW | EconoDUAL-3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF450R12ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 450A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 675 A | 400 nA | 2250 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF450R17ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 605 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF450R17ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.3 V | 600 A | 400 nA | 2500 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF50R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 50 A | 100 nA | 285 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF600R06ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 600A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.9 V | 700 A | 400 nA | 1650 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF600R07ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.95 V | 700 A | 100 nA | 1800 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF600R12IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 600 A | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF600R12IP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 600 A | 400 nA | 3.35 kW | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF600R12ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 995 A | 400 nA | 4050 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF600R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 900 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 950 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 930 A | 400 nA | 4.15 kW | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF75R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 100 nA | 395 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF75R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 100 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF800R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 1200 A | 400 nA | 3.9 kW | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF800R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 1150 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF900R12IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 900 A | 400 nA | 5.1 kW | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »