Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF400R12KT3P_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V400 A400 nA-Module- 40 C+ 125 CTray
FF400R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual3300 V3.4 V660 A400 nA4.8 kWIHM- 40 C+ 125 CTray
FF450R06ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 550AДаIGBT Silicon ModulesDual600 V550 AEcono D- 40 C+ 150 CTray
FF450R07ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 650VНетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.95 V560 A100 nA1450 W- 40 C+ 150 CTray
FF450R12IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V450 APRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF450R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 520AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.15 V520 A400 nA2400 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF450R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V580 A400 nA2400 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF450R12ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V600 A400 nA2.1 kWEconoDUAL-3- 40 C+ 125 CTray
FF450R12ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 450AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V675 A400 nA2250 W- 40 C+ 150 CTray
FF450R17ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V605 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF450R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.3 V600 A400 nA2500 W- 40 C+ 150 CTray
FF50R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V50 A100 nA285 W- 40 C+ 150 CTray
FF600R06ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 600AДаIGBT Silicon ModulesDual600 V1.9 V700 A400 nA1650 W- 40 C+ 150 CTray
FF600R07ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 650VНетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.95 V700 A100 nA1800 W- 40 C+ 150 CTray
FF600R12IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V600 APRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF600R12IP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V600 A400 nA3.35 kWPRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF600R12ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V995 A400 nA4050 W- 40 C+ 150 CTray
FF600R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900AДаIGBT Silicon ModulesDual Dual Collector Dual Emitter1700 V900 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FF600R17KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950AДаIGBT Silicon ModulesDual Dual Collector Dual Emitter1700 V950 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FF650R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V930 A400 nA4.15 kWPRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF75R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.15 V75 A100 nA395 W- 40 C+ 150 CTray
FF75R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V100 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FF800R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V1200 A400 nA3.9 kWIHM130- 40 C+ 125 CTray
FF800R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KAДаIGBT Silicon ModulesDual Dual Collector Dual Emitter1700 V1150 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FF900R12IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.05 V900 A400 nA5.1 kW- 40 C+ 150 CTray

Страницы