Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP25R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 39 A | EASY2B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP25R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.25 V | 39 A | 400 nA | 175 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FP30R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 37 A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FP30R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 37 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP35R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 35 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP35R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 35 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP35R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 35 A | 100 nA | 210 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FP35R12U1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | PIM 3-Phase Input Rectifier | 1200 V | 1.85 V | 54 A | 400 nA | 250 W | SmartPIM1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP35R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 54 A | EASY2B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP40R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.3 V | 55 A | 400 nA | 200 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP40R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 55 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP40R12KT3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 55 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP50R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 60 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP50R06W2E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.45 V | 65 A | 400 nA | 175 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP50R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 400 nA | 270 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 75 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FP50R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.25 V | 50 A | 100 nA | 280 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP50R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.25 V | 50 A | 100 nA | 280 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 50 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP75R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 95 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP75R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 75 A | 400 nA | 250 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FP75R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 105 A | 400 nA | 350 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP75R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 105 A | 400 nA | 355 W | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FP75R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.25 V | 150 A | 100 nA | 385 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FP75R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 75 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »