Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FP25R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39AНетIGBT Silicon ModulesArray 71200 V39 AEASY2B- 40 C+ 150 CTray
FP25R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.25 V39 A400 nA175 W- 40 C+ 150 CTray
FP30R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIMНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V37 A- 40 C+ 150 CTray
FP30R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V37 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP35R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V35 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP35R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V35 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP35R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V35 A100 nA210 W- 40 C+ 150 CTray
FP35R12U1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200VНетIGBT Silicon ModulesPIM 3-Phase Input Rectifier1200 V1.85 V54 A400 nA250 WSmartPIM1- 40 C+ 150 CTray
FP35R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V54 AEASY2B- 40 C+ 150 CTray
FP40R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.3 V55 A400 nA200 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
FP40R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V55 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FP40R12KT3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V55 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FP50R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V60 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP50R06W2E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50AДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.45 V65 A400 nA175 WModule- 40 C+ 150 CTray
FP50R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V75 A400 nA270 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
FP50R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V75 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FP50R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50AДаIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V2.25 V50 A100 nA280 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP50R12KT4GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200VНетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V2.25 V50 A100 nA280 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP50R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V50 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP75R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesArray 7600 V95 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP75R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V75 A400 nA250 W- 40 C+ 150 CTray
FP75R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V105 A400 nA350 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
FP75R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V105 A400 nA355 WEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FP75R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIMНетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V2.25 V150 A100 nA385 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP75R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V75 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray

Страницы