Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS400R12A2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2ДаIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V1.8 V400 A400 nA1.5 kWHybridPack2- 40 C+ 150 CTray
FS450R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V600 A400 nA2.1 kWEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS450R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1700 V2.45 V605 A400 nA2250 WEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS450R17OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon Modules6-Pack1700 V1.95 V450 A400 nA20 mW- 40 C+ 150 CTray
FS50R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V70 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FS50R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V70 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FS50R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600VНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.45 V70 A400 nA205 WModule- 40 C+ 150 CTray
FS50R06YE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V60 AEASY2- 40 C+ 150 CTray
FS50R06YL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 55AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V55 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FS50R07W1E3_B11AInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYНетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.7 V70 A400 nA205 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FS50R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V75 A400 nA270 WEconoPACK 2- 40 C+ 125 CTray
FS50R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V75 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FS50R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50AНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1200 V1.85 V83 A100 nA335 WModule- 40 C+ 150 CTray
FS50R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50AДаIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V83 A100 nA335 W- 40 C+ 150 CTray
FS50R17KE3_B17Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700VНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1.7 kV2 V82 A400 nA345 WModule- 40 C+ 125 CTray
FS6R06VE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 11AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2 V11 A400 nA40.5 WEASY750- 40 C+ 150 CTray
FS75R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.9 V75 A400 nA250 WEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FS75R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650VНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter650 V1.55 V75 A400 nA250 WModule- 40 C+ 150 CTray
FS75R07U1E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules6-Pack650 V1.55 V100 A100 nA275 WSmartPACK1- 40 C+ 150 CTray
FS75R07W2E3_B11AInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYНетIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.7 V95 A400 nA275 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FS75R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V105 A400 nA350 WEconoPACK 2- 40 C+ 125 CTray
FS75R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V105 A400 nA355 WEconoPACK 3B- 40 C+ 125 CTray
FS75R12KE3_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200VНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1200 V1.7 V105 A100 nA355 WModule- 40 C+ 125 CTray
FS75R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V3.2 V100 A400 nA500 WEconoPACK 3A- 40 C+ 125 CTray
FS75R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V105 A400 nA355 WEcono 2- 40 C+ 125 CTray

Страницы