Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS400R12A2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2 | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 1.8 V | 400 A | 400 nA | 1.5 kW | HybridPack2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS450R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 600 A | 400 nA | 2.1 kW | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS450R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1700 V | 2.45 V | 605 A | 400 nA | 2250 W | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS450R17OE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1700 V | 1.95 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FS50R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 70 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS50R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 70 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.45 V | 70 A | 400 nA | 205 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS50R06YE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 60 A | EASY2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS50R06YL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 55A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 55 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS50R07W1E3_B11A | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.7 V | 70 A | 400 nA | 205 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS50R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 75 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS50R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.85 V | 83 A | 100 nA | 335 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS50R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 83 A | 100 nA | 335 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS50R17KE3_B17 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1.7 kV | 2 V | 82 A | 400 nA | 345 W | Module | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS6R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 11A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2 V | 11 A | 400 nA | 40.5 W | EASY750 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS75R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | 250 W | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS75R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 650 V | 1.55 V | 75 A | 400 nA | 250 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS75R07U1E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 650 V | 1.55 V | 100 A | 100 nA | 275 W | SmartPACK1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS75R07W2E3_B11A | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.7 V | 95 A | 400 nA | 275 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS75R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 105 A | 400 nA | 350 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS75R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 105 A | 400 nA | 355 W | EconoPACK 3B | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS75R12KE3_B9 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.7 V | 105 A | 100 nA | 355 W | Module | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS75R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 3.2 V | 100 A | 400 nA | 500 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS75R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 105 A | 400 nA | 355 W | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »