Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2PS18012E44G38553NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | - 25 C | + 60 C | Tray | |||||||||
2PS12017E34W32132NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | Да | IGBT Silicon Modules | 2.4 V | A-PS4-1 | - 25 C | + 55 C | Tray | ||||||||
2PS13512E43W35222NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | Да | IGBT Silicon Modules | 2.05 V | - 25 C | + 55 C | Tray | |||||||||
6MS24017E33W32859NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | Да | IGBT Silicon Modules | 2.4 V | - 25 C | + 55 C | Tray | |||||||||
6MS24017E33W32860NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | Да | IGBT Silicon Modules | 2.4 V | - 25 C | + 55 C | Tray | |||||||||
6MS30017E43W34404NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | Да | IGBT Silicon Modules | 1700 V | - 25 C | + 55 C | Tray | |||||||||
F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 1.85 V | 25 A | 100 nA | 215 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF1200R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 1.75 V | 1200 A | 400 nA | PrimePack2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 225 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.2 V | 300 A | 400 nA | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FF300R12KT4PHOSA1 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 300 A | 400 nA | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Common Emitter | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability! | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 2.5 V | 450 A | 400 nA | AG-XHP100-3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF600R12ME4EB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Common Emitter | 1200 V | 1.75 V | 600 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP10R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | PIM | 1200 V | 1.6 V | 10 A | 100 nA | AG-EASY1B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FP150R12KT4_B11 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP150R12KT4 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP150R12KT4P | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP150R12KT4P_B11 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP25R12W1T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7 | Нет | IGBT Silicon Modules | PIM | 1200 V | 1.6 V | 25 A | 100 nA | AG-EASY1B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FP50R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 1.85 V | 50 A | 100 nA | EconoPIM2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS100R12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 135 A | 100 nA | 500 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.5 V | 70 A | 100 nA | AG-EASY2B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1.2 kV | 1.75 V | 200 A | 100 nA | 20 mW | 130 mm x 103 mm x 20.55 mm | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »