Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.7 V | 70 A | 400 nA | 205 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS75R07W2E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.7 V | 95 A | 400 nA | 275 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS800R07A2E3B32BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.4 V | 800 A | 400 nA | 1.5 kW | HybirdPack2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
IFCM20T65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 2-Phase | 650 V | 1.7 V | 20 A | 1 mA | 52.3 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
IFCM20U65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.7 V | 20 A | 1 mA | 52.3 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
IFCM30T65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 2-Phase | 650 V | 1.75 V | 30 A | 1 mA | 60.4 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
IFCM30U65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.75 V | 30 A | 1 mA | 60.4 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
IFF450B12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description: | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 400 nA | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
IFF600B12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 600 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description: | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | 600 A | 400 nA | 20 mW | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
IXA20PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 32 A | 500 nA | 130 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||
IXA20RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 32 A | 500 nA | 125 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||
IXA30PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.9 V | 43 A | 500 nA | 150 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||
IXA30RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 43 A | 500 nA | 147 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||
IXA40PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 63 A | 200 nA | 230 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, Reel | ||
IXA20PG1200DHG-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA20PG1200DHGLB-TRR | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.8 V | 32 A | 130 W | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||
IXA20PG1200DHG-TUB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA20PG1200DHGLB-TUB | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.8 V | 32 A | 130 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXA30PG1200DHG-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA30PG1200DHGLB-TRR | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.9 V | 43 A | 150 W | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||
IXA30PG1200DHG-TUB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA30PG1200DHGLB-TUB | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.9 V | 43 A | 150 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXA 40PG1200DHG LB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT phaseleg | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 63 A | 200 nA | 230 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | |||
IXA40PG1200DHG-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA40PG1200DHGLB-TRR | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.85 V | 63 A | 230 W | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||
IXA40PG1200DHG-TUB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA40PG1200DHGLB-TUB | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.85 V | 63 A | 230 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXA60IF1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.8 V | 88 A | 500 nA | 290 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
IXA70I1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.8 V | 100 A | 500 nA | 350 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »