Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS50R07W1E3B11ABOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.7 V70 A400 nA205 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FS75R07W2E3B11ABOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.7 V95 A400 nA275 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FS800R07A2E3B32BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.4 V800 A400 nA1.5 kWHybirdPack2- 40 C+ 150 CTray
IFCM20T65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетIGBT Silicon Modules2-Phase650 V1.7 V20 A1 mA52.3 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFCM20U65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.7 V20 A1 mA52.3 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFCM30T65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетIGBT Silicon Modules2-Phase650 V1.75 V30 A1 mA60.4 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFCM30U65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.75 V30 A1 mA60.4 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFF450B12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V450 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description:НетIGBT Silicon Modules1200 V1.75 V450 A400 nA- 40 C+ 150 CTray
IFF600B12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V600 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description:НетIGBT Silicon Modules1200 V1.75 V600 A400 nA20 mW- 40 C+ 150 CTray
IXA20PG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.8 V32 A500 nA130 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel
IXA20RG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V32 A500 nA125 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel
IXA30PG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.9 V43 A500 nA150 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel
IXA30RG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V43 A500 nA147 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel
IXA40PG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSНетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V63 A200 nA230 WSMPD-9- 55 C+ 150 CCut Tape, Reel
IXA20PG1200DHG-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA20PG1200DHGLB-TRRНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.8 V32 A130 W- 55 C+ 150 CReel
IXA20PG1200DHG-TUBIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA20PG1200DHGLB-TUBНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.8 V32 A130 W- 55 C+ 150 CTube
IXA30PG1200DHG-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA30PG1200DHGLB-TRRНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.9 V43 A150 W- 55 C+ 150 CReel
IXA30PG1200DHG-TUBIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA30PG1200DHGLB-TUBНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.9 V43 A150 W- 55 C+ 150 CTube
IXA 40PG1200DHG LBIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT phaselegДаIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V63 A200 nA230 WSMPD-9- 55 C+ 150 C
IXA40PG1200DHG-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA40PG1200DHGLB-TRRНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.85 V63 A230 W- 55 C+ 150 CReel
IXA40PG1200DHG-TUBIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA40PG1200DHGLB-TUBНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.85 V63 A230 W- 55 C+ 150 CTube
IXA60IF1200NAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT CopackНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V1.8 V88 A500 nA290 WSOT-227B-4- 55 C+ 150 CTube
IXA70I1200NAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBTНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V1.8 V100 A500 nA350 WSOT-227B-4- 55 C+ 150 CTube

Страницы