Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MDI150-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 180 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||||
MDI200-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 270 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||||
MDI300-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 330 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||||
MDI550-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 670 A | Y3-DCB | + 150 C | Bulk | |||||||
MDI75-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 90 A | Y4-M5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||||
MID100-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | 560 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MID145-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | 700 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MID150-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 180 A | 400 nA | 760 W | Y3-DCB-5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MID200-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 270 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||||
MID300-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 330 A | 800 nA | 1.38 kW | Y3-DCB-5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MID550-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.3 V | 670 A | 1.6 uA | 2.75 kW | Y3-DCB-10 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||
MID75-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 90 A | 200 nA | 370 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 220 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.9 V | 92 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
MIXA101W1200EH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBT | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.8 V | 155 A | 0.03 mA | 500 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
MIXA300PF1200TSF | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Module | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.8 V | 465 A | 0.3 mA | 1.5 kW | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MIXA61H1200ED | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT Module H Bridge | Да | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 1.8 V | 85 A | 500 nA | 290 W | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
MKI100-12F8 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 125 A | 600 nA | 640 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MKI50-06A7 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 72 A | 200 nA | 225 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||
MKI50-12F7 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Bulk | ||||||||||||
MKI75-06A7 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 90 A | 200 nA | 280 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||
MKI75-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 90 A | 200 nA | 280 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||
MKI80-06T6K | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 80 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Bulk | ||||||||||||
MMIX4G20N250 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 2.5 kV | 3.1 V | 23 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
MWI25-12A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 50 A | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »