Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
MDI150-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V180 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MDI200-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V270 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MDI300-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V330 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MDI550-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V670 AY3-DCB+ 150 CBulk
MDI75-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V90 AY4-M5- 40 C+ 150 CBulk
MID100-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV135 A300 nA560 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID145-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV160 A400 nA700 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID150-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV180 A400 nA760 WY3-DCB-5- 40 C+ 150 CBulk
MID200-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V270 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MID300-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV330 A800 nA1.38 kWY3-DCB-5- 40 C+ 150 CBulk
MID550-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.3 V670 A1.6 uA2.75 kWY3-DCB-10- 40 C+ 150 CBulk
MID75-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV90 A200 nA370 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MMIX1G120N120A3V1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power DeviceНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V220 A100 nASMPD-24- 55 C+ 150 CTube
MMIX1Y100N120C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power DeviceДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.9 V92 A100 nASMPD-24- 55 C+ 150 CTube
MIXA101W1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.8 V155 A0.03 mA500 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA300PF1200TSFIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1200 V1.8 V465 A0.3 mA1.5 kW- 40 C+ 125 CBulk
MIXA61H1200EDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT Module H BridgeДаIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V1.8 V85 A500 nA290 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MKI100-12F8IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon Modules1.2 kV125 A600 nA640 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MKI50-06A7IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V72 A200 nA225 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MKI50-12F7IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesBulk
MKI75-06A7IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V90 A200 nA280 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MKI75-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V90 A200 nA280 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MKI80-06T6KIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 80 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesBulk
MMIX4G20N250IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARDНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge2.5 kV3.1 V23 A100 nASMPD-24- 55 C+ 150 CTube
MWI25-12A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V50 AE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk

Страницы