Всего результатов: 1291
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MWI30-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 600 V | 45 A | 200 nA | 140 W | E2-18 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||
MWI50-12A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 85 A | E2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
MWI75-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 90 A | E2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
VII130-06P1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 121 A | ECO-PAC 2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level Inverter | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 109 A | 200 nA, 400 nA | 294 W | - 40 C | + 150 C | |||||
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 650 V | 1.7 V | 201 A | 600 nA | 600 W | EMIPAK-2B | + 175 C | Tube | |||
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - EMIPAK SWITCH | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 650 V | 1.72 V, 1.75 V | 142 A, 201 A | 600 nA | 417 W, 600 W | EMIPAK-2B | + 175 C | ||||
VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 127 A | 440 nA | 625 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||
VS-GB150YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 182 A | 440 nA | 892 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||
VS-50MT060WHTAPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 50 Amp Half Bridge | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Tube | |||||||||||
VS-70MT060WHTAPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 70 Amp Warp2 Speed IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 100 A | MTP | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GA75TS120UPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 110 A | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GB75YF120N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 100 A | ECONO2 4PAK | + 150 C | Bulk | ||||||
FAM65CR51DZ2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 160 W | APMCD-B16-12 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||||
FAM65HR51DS2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 135 W | APMCA-B16-16 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||||
NXH160T120L2Q2F2SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Split-T | 600 V, 1200 V | 1.47 V, 2.15 V | 100 A, 160 A | 300 nA, 500 nA | 500 W | Q2PACK | - 40 C | + 125 C | Tray |