Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF225R12ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 325A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 325 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF225R12ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 225A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 225 A | 400 nA | 1050 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF225R12ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 225 A | 400 nA | 1.05 kW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF225R12MS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 275 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF225R17ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 340A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 340 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF300R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 400A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 400 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF300R07KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.75 V | 365 A | 400 nA | 940 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF300R07ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.55 V | 390 A | 100 nA | 1100 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF300R12KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||
FF300R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 460A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.15 V | 460 A | 400 nA | 1600 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF300R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.75 V | 370 A | 400 nA | 1950 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF300R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 480 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF300R12KT3P_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA | - | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF300R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 450 A | 400 nA | 1600 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF300R12ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 500 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF300R12ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 0.4 uA | 1.6 kW | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FF300R12MS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 370 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF300R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 404A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 404 A | 400 nA | 1450 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF300R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 440 A | 100 nA | 1800 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF300R17ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 375A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 375 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF400R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 400A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 500 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF400R07KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 650 V | 1.55 V | 485 A | 400 nA | 1250 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FF400R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 2.15 V | 580 A | 400 nA | 2 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FF400R12KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 580 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FF400R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 2.15 V | 580 A | 400 nA | 2 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »