Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF225R12ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 325AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V325 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF225R12ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 225AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V225 A400 nA1050 W- 40 C+ 150 CTray
FF225R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1200VНетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V225 A400 nA1.05 kW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
FF225R12MS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V275 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF225R17ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 340AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V340 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF300R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 400AДаIGBT Silicon ModulesDual600 V400 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF300R07KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.75 V365 A400 nA940 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF300R07ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.55 V390 A100 nA1100 WModule- 40 C+ 150 CTray
FF300R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF300R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 460AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.15 V460 A400 nA1600 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF300R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENTДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.75 V370 A400 nA1950 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V480 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KT3P_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V300 A400 nA-62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V450 A400 nA1600 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF300R12ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V500 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF300R12ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V450 A0.4 uA1.6 kW- 40 C+ 125 CTray
FF300R12MS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V370 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF300R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 404AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V404 A400 nA1450 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700VНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V440 A100 nA1800 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF300R17ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 375AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V375 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF400R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 400A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual600 V500 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF400R07KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650VНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter650 V1.55 V485 A400 nA1250 WModule- 40 C+ 150 CTray
FF400R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A DUAL HALF BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV2.15 V580 A400 nA2 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF400R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V580 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF400R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580AДаIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV2.15 V580 A400 nA2 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray

Страницы