Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
BSM200GA170DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1700 V400 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM200GB120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V420 A400 nA1550 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM200GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V290 A400 nA1.4 kWHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM200GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V230 A400 nA445 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM200GD60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2.45 V226 A400 nA700 WEconoPACK 3A- 40 C+ 125 CTray
BSM20GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V35 A300 nA130 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM25GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V35 A180 nA200 WEconoPACK 2A- 40 C+ 150 CTray
BSM25GD120DN2E3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V35 A180 nA200 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM25GP120Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIMНетIGBT Silicon ModulesArray 71600 V2.55 V45 A300 nA230 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM300GA120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V2.6 V570 A400 nA2250 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM300GA120DLCSInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V2.1 V570 A400 nA2250 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM300GA120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V2.5 V430 A320 nA2500 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
BSM300GB120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V625 A400 nA2500 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM300GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V375 A400 nA1.25 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM30GD60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V40 A400 nA135 WEconoPACK 2A- 40 C+ 125 CTray
BSM30GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex600 V2.45 V50 A300 nA180 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM35GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A DUALДаIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V3.2 V50 A150 nA280 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray
BSM35GD120DLCE3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.1 V70 A400 nA280 WEconoPACK 2A- 40 C+ 125 CTray
BSM35GD120DN2E3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.7 V50 A150 nA280 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM35GP120Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.4 V45 A300 nA230 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM35GP120GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.4 V45 A300 nA230 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
BSM400GA120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V2.1 V625 A400 nA2500 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM400GA120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V550 A2.7 kW62 mm- 40 C+ 150 CTray
BSM50GAL120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A CHOPPERНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V78 A400 nA400 WHalf Bridge GAL 1- 40 C+ 150 CTray
BSM50GB120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.4 V115 A400 nA460 W32 mm- 40 C+ 125 CTray

Страницы