Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM200GA170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1700 V | 400 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
BSM200GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 420 A | 400 nA | 1550 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM200GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 290 A | 400 nA | 1.4 kW | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM200GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.95 V | 230 A | 400 nA | 445 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM200GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2.45 V | 226 A | 400 nA | 700 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM20GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 35 A | 300 nA | 130 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM25GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 35 A | 180 nA | 200 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM25GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 35 A | 180 nA | 200 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM25GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1600 V | 2.55 V | 45 A | 300 nA | 230 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM300GA120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.6 V | 570 A | 400 nA | 2250 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM300GA120DLCS | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 570 A | 400 nA | 2250 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM300GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.5 V | 430 A | 320 nA | 2500 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM300GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 625 A | 400 nA | 2500 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM300GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.95 V | 375 A | 400 nA | 1.25 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM30GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 40 A | 400 nA | 135 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM30GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2.45 V | 50 A | 300 nA | 180 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM35GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 3.2 V | 50 A | 150 nA | 280 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM35GD120DLCE3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.1 V | 70 A | 400 nA | 280 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM35GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.7 V | 50 A | 150 nA | 280 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM35GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.4 V | 45 A | 300 nA | 230 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM35GP120G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.4 V | 45 A | 300 nA | 230 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM400GA120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 625 A | 400 nA | 2500 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM400GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 550 A | 2.7 kW | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM50GAL120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A CHOPPER | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 400 nA | 400 W | Half Bridge GAL 1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM50GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.4 V | 115 A | 400 nA | 460 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »