Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM100GB120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 205 A | 400 nA | 835 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM100GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 150 A | 200 nA | 800 W | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM100GB120DN2K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 145 A | 400 nA | 700 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM100GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.6 V | 200 A | 200 nA | 960 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM100GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.95 V | 130 A | 400 nA | 445 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM100GD120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.1 V | 160 A | 400 nA | 650 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM100GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 150 A | 400 nA | 680 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM100GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 130 A | 400 nA | 430 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM100GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 135 A | 300 nA | 250 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM10GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.7 V | 15 A | 120 nA | 80 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM10GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.7 V | 15 A | 120 nA | 80 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM10GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.4 V | 20 A | 300 nA | 100 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM10GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.95 V | 20 A | 300 nA | 80 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM150GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 300 A | 400 nA | 1.25 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM150GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 210 A | 320 nA | 1.25 kW | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM150GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.6 V | 300 A | 200 nA | 1.25 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM150GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.95 V | 180 A | 400 nA | 730 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM15GD120DLCE3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.1 V | 35 A | 400 nA | 145 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM15GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 25 A | 150 nA | 145 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM15GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 25 A | 150 nA | 145 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM15GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.2 V | 35 A | 300 nA | 180 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM15GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 1.95 V | 20 A | 300 nA | 100 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM200GA120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 370 A | 400 nA | 1450 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM200GA120DLCS | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 370 A | 400 nA | 1450 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM200GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.5 V | 300 A | 200 nA | 1550 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »