Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
BSM100GB120DLCKInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V205 A400 nA835 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V150 A200 nA800 WHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM100GB120DN2KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V145 A400 nA700 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray
BSM100GB170DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.6 V200 A200 nA960 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V130 A400 nA445 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GD120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.1 V160 A400 nA650 WEconoPACK 3A- 40 C+ 125 CTray
BSM100GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V150 A400 nA680 WEconoPACK 3A- 40 C+ 150 CTray
BSM100GD60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V130 A400 nA430 WEconoPACK 3A- 40 C+ 125 CTray
BSM100GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V135 A300 nA250 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
BSM10GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.7 V15 A120 nA80 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM10GD120DN2E3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.7 V15 A120 nA80 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM10GP120Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.4 V20 A300 nA100 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM10GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex600 V1.95 V20 A300 nA80 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM150GB120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V300 A400 nA1.25 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM150GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V210 A320 nA1.25 kWHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM150GB170DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.6 V300 A200 nA1.25 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM150GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V180 A400 nA730 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM15GD120DLCE3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.1 V35 A400 nA145 WEconoPACK 2A- 40 C+ 125 CTray
BSM15GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V25 A150 nA145 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM15GD120DN2E3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V25 A150 nA145 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM15GP120Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.2 V35 A300 nA180 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM15GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIMДаIGBT Silicon ModulesArray 7600 V1.95 V20 A300 nA100 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM200GA120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V2.1 V370 A400 nA1450 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM200GA120DLCSInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V2.1 V370 A400 nA1450 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM200GA120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLEНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V2.5 V300 A200 nA1550 W62 mm- 40 C+ 150 CTray

Страницы