Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MG12300D-BN3MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual 150TVj | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.2 V | 450 A | 400 uA | 1450 W | Package D | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG12300WB-BN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 500 A | 400 nA | 1400 W | Package WB | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG12400D-BN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A Dual | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 580 A | 400 nA | 1925 W | Package D | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1240H-XBN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Converter Brake Inverter | 1200 V | 2.05 V | 55 A | 400 nA | 195 W | Package H | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG12450WB-BN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A Dual | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 600 A | 400 nA | 1950 W | Package WB | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1250H-XN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 1200 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | 260 W | Package H | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1250S-BA1MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A Dual | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.8 V | 80 A | 200 nA | 500 W | Package S | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||
MG1250W-XBN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Converter Brake Inverter | 1200 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | 260 W | Package W | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG12600WB-BR2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 V 600 A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2 V | 750 A | 400 nA | 2500 W | Package WB | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||
MG1275H-XN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 1200 V | 1.9 V | 105 A | 400 nA | 348 W | Package H | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1275S-BA1MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A Dual | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.8 V | 105 A | 100 nA | 630 W | Package S | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||
MG1275W-XBN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Converter Brake Inverter | 1200 V | 1.9 V | 105 A | 400 nA | 348 W | Package W | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1275W-XN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 1200 V | 1.9 V | 105 A | 400 nA | 368 W | Package W | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17100D-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 150 A | 400 nA | 690 W | Package D | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17100S-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 150 A | 400 nA | 620 W | Package S | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17150D-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 250 A | 400 nA | 890 W | Package D | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17200D-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 200A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 300 A | 400 nA | 1250 W | Package D | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17225WB-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 225A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 325 A | 400 nA | 1400 W | Package WB | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17300D-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 400 A | 400 nA | 1450 W | Package D | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17300WB-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 375 A | 400 nA | 1650 W | Package WB | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG17450WB-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 600 A | 400 nA | 2250 W | Package WB | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1750S-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 75 A | 400 nA | 320 W | Package S | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
MG1775S-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 125 A | 400 nA | 520 W | Package S | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
BSM100GAL120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.1 V | 205 A | 400 nA | 830 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM100GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 200 A | 400 nA | 780 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »