Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGTQ100H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGTQ100SK65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGTQ150TA65TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 650 V | 1.65 V | 150 A | 360 nA | 365 W | SP6-P | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGTQ200A65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGTQ200DA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGTQ200SK65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGTQ50TA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 650 V | 1.65 V | 50 A | 120 nA | 125 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTLGL325A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 420 A | 1.5 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||
APTLGT300A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 1.4 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||
APTLGT400A608G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 600 A | 1.25 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||
APTGL120TDU120TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6532 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 1.2 kV | 1.8 V | 140 A | 600 nA | 517 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ100A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3165 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 2.05 V | 185 A | 150 nA | 650 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ40HR120CT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3166 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual Common Emitter | 1.2 kV, 600 V | 2.05 V, 1.5 V | 75 A, 80 A | 120 nA, 600 nA | 250 W, 176 W | SP3F-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ80HR120CT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3176 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual Common Emitter | 1.2 kV, 600 V | 2.05 V, 1.5 V | 150 A, 100 A | 240 nA, 600 nA | 500 W, 250 W | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
A1C15S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1C15S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1P25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1P35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1P50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 650 V | 2.3 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1 | - 40 C | + 150 C | |||
A1P50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1-35 | - 40 C | + 150 C | |||
A2C25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | |||
A2C25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | |||
A2C35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »