Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGTQ100H65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189НетIGBT Silicon ModulesQuad650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100SK65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ150TA65TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546НетIGBT Silicon ModulesHex650 V1.65 V150 A360 nA365 WSP6-P- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200A65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201НетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200DA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200SK65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ50TA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203НетIGBT Silicon ModulesHex650 V1.65 V50 A120 nA125 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTLGL325A1208GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V420 A1.5 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTLGT300A1208GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V440 A1.4 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTLGT400A608GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V600 A1.25 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTGL120TDU120TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6532НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source1.2 kV1.8 V140 A600 nA517 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ100A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3165НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV2.05 V185 A150 nA650 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ40HR120CT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3166НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V75 A, 80 A120 nA, 600 nA250 W, 176 WSP3F-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ80HR120CT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3176НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V150 A, 100 A240 nA, 600 nA500 W, 250 W- 40 C+ 100 CTube
A1C15S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V15 A500 nA142.8 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1C15S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V15 A500 nA142.8 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon Modules6-Pack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon Modules6-Pack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon Modules6-Pack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon Modules6-Pack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P50S65M2STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетIGBT Silicon Modules6-Pack650 V2.3 V50 A500 nA208 WACEPACK-1- 40 C+ 150 C
A1P50S65M2-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCДаIGBT Silicon Modules6-Pack650 V1.95 V50 A500 nA208 WACEPACK-1-35- 40 C+ 150 C
A2C25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK2- 40 C+ 150 C

Страницы