Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT450DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6197 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 1.75 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT450SK60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6179 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 1.75 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8022 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50A170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8081 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50A170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4076 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50DA120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4132 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50DDA120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3089 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | SP3F-32 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGT50DDA60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3175 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50DH120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4090 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50DH170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4122 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50DH60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8053 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4130 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3148 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50H170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4095 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50H60RT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3126 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8040 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3041 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50SK120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4081 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50SK170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8074 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP-1 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||
APTGT50SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4097 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50TA60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6519 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50TDU170PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6527 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 1.7 kV | 2 V | 70 A | 400 nA | 310 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6518 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT50TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8047 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT50TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3093 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »