Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT200SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6160 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200SK60T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3114 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 750 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 300 A | 800 nA | 652 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT20TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8093 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 32 A | 300 nA | 62 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT225A170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6072 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT225DA170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT225DU170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6207 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT225SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6141 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT25X120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3085 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 40 A | 400 nA | 156 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7060 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 400 nA | 1.45 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT300A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6106 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300A170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7032 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT300A170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6055 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300A60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7085 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT300A60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6153 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300A60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4109 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 430 A | 500 nA | 935 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DA120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6187 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DA170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7010 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT300DA170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6175 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DA60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7096 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT300DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6196 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DH60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6146 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6056 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DU170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6071 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300DU60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6113 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »