Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT150DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6200 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4104 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGT150H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6104 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150H170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 250 A | 600 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150H60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4085 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6194 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6128 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 250 A | 600 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150SK60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8089 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150TA60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6507 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6514 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT150TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 200 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT200A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7014 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | 1.05 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT200A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6105 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200A170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7088 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 310 A | 400 nA | 1.25 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT200A602G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC20007 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP2-18 | - 40 C | + 100 C | Bulk | ||
APTGT200A60T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3067 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 750 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200DA120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7095 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | 1.05 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT200DA120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6109 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200DA60T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3113 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 750 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200DH120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6121 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200DH60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6114 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6074 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200DU60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4135 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6075 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT200H60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6133 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »