Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGL180A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3090 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 230 A | 200 nA | 940 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL240TL120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6223 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 305 A | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL325A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7081 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 420 A | 400 nA | 1.5 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGL40H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8085 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL40X120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3132 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL475A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7082 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 400 nA | 2.08 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGL475DA120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7079 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 400 nA | 2.08 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGL475SK120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7084 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 400 nA | 2.08 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGL475U120DAG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6171 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 2.307 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGL60DDA120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3097 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL60H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3142 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL60TL120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3088 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGL700DA120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7086 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 840 A | 800 nA | 3 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGL700SK120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7087 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 840 A | 800 nA | 3 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGL700U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7070 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 910 A | 3 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
APTGL90A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8086 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL90DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8109 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL90DDA120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3136 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL90DSK120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3174 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGL90H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3096 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4143 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ100A65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8101 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 350 W | SP1-12 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ100DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8129 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ100H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3214 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 350 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4145 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »