Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-GT200TP065N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | ![]() | Нет | Half Bridge | 650 V | 1.9 V | 221 A | 600 nA | 600 W | INT-A-PAK | - 40 C | + 175 C | ||||
VS-GT300FD060N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | ![]() | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.72 V | 379 A | 500 nA | 1.25 kW | INT-A-PAK | + 175 C | |||||
VS-GT300YH120N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | ![]() | Нет | 1.2 kV | 2.17 V | 341 A | 400 nA | 1.042 kW | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | |||||
VS-GT400TH60N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | ![]() | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.6 V | 530 A | 400 nA | 1.6 kW | INT-A-PAK | + 175 C | |||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A | ![]() | Нет | Single | 600 V | 16 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRG4BC20KDSTRRP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | ![]() | Нет | Single | 600 V | 16 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 23A | ![]() | Нет | Single | 600 V | 28 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRG4BC30KDSTRRP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | ![]() | Нет | Single | 600 V | 28 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 23AD2PAK | ![]() | Нет | Single | 600 V | 23 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 40AD2PAK | ![]() | Нет | Single | 600 V | 40 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | ![]() | Нет | Single | 1200 V | 11 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||||
IRG4RC10KDTRPBF | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 8.500A | ![]() | Нет | Single | 600 V | 9 A | DPAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
IRGS10B60KDTRRP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES | ![]() | Нет | Single | 600 V | 22 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
APT100GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT100GT120JRDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 3.2 V | 123 A | 600 nA | 570 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT100GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0007 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT100GT60JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 2.1 V | 148 A | 300 nA | 500 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT100GT60JRDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 2.1 V | 148 A | 300 nA | 500 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT150GN60B2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 1.45 V | 220 A | 600 nA | 536 W | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||
APT150GN60LDQ4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A,TO-264, RoHS | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 1.45 V | 220 A | 600 nA | 536 W | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||
APT200GT60JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 2 V | 195 A | 300 nA | 500 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT40GP90JDQ2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 900 V | 3.2 V | 64 A | 100 nA | 284 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT50GF120B2RG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 135 A | 100 nA | 781 W | T-Max-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT50GF120LRG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHS | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 135 A | 100 nA | 781 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT60GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 149 A | 100 nA | 625 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »