Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
MIXA40W1200TMHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V XPT Six Pack XPT Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да6-Pack1.2 kV1.8 V60 A500 nA195 WMini- 40 C+ 125 C
MIXA40WB1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter ModuleНет1.2 kV60 A500 nA195 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA450PF1200TSFIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V XPT Phase-legs XPT Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаDual1.2 kV1.8 V650 A1.5 uA2.1 kWSimBus F- 40 C+ 150 CBulk
MIXA600PF650TSFIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетDual650 V1.65 V720 A1.5 uA1.75 kWSimBus F- 40 C+ 175 CBulk
MIXA60HU1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleНет1.2 kV85 A500 nA290 WV1-A-Pack- 40 C+ 150 CBulk
MIXA60W1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTНет6-Pack1.2 kV1.8 V85 A500 nA290 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA60WB1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V XPT CBI XPT Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да1.2 kV85 A500 nA290 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA60WH1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V XPT CBI XPT Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Нет1.2 kV60 A500 nA195 WE3-Pack- 40 C+ 150 CBulk
MIXA80R1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Boost/Brake Module XPT IGBTНетSingle1.2 kV1.9 V120 A500 nA390 WV1-A-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA80W1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTНет6-Pack1.2 kV1.8 V120 A500 nA390 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA80W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTНет6-Pack1.2 kV1.8 V120 A500 nA390 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA80WB1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTНет1.2 kV120 A500 nA390 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA81H1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H BridgeДаHalf Bridge1.2 kV1.8 V120 A500 nA390 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA81WB1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTДа6-Pack1.2 kV1.8 V90 A, 120 A500 nA290 W, 390 WE3-Pack- 40 C+ 150 CBulk
VUB120-16NOXIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake UnitДаBulk
VUB120-16NOXTIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake UnitДаBulk
VUB145-16NOXTIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 Phase Rectifier Bridge w/ IGBTНетBulk
VUB160-16NOXIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake UnitНетBulk
VS-100MT060WSPVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - MTP SWITCH-e3НетFull Bridge600 V2.14 V107 A200 nA403 WMTP+ 150 C
VS-GA300TD60SVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBTНетHalf Bridge600 V1.24 V530 A200 nA1.136 kWINT-A-PAK- 40 C+ 150 C
VS-GB150TH120UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBTНетHalf Bridge1.2 kV3.1 V280 A400 nA1.147 kWINT-A-PAK+ 150 C
VS-GB200TH120UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBTНетHalf Bridge1.2 kV3.1 V330 A400 nA1.316 kWINT-A-PAK+ 150 C
VS-GB75YF120UTVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - ECONO IGBTНет1.2 kV3.8 V100 A200 nA480 WEcono 2+ 220 C
VS-GB90SA120UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - SOT-227 IGBTНетSingle1.2 kV3.3 V149 A250 nA862 WSOT-227-4- 40 C+ 150 CTube
VS-GT100TP60NVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBTНетHalf Bridge600 V1.65 V160 A400 nA417 WINT-A-PAK+ 175 C

Страницы