Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS600R07A2E3B32BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FS820R08A6P2BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FS900R08A2P2B31BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK2 | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
HYBRIDKIT1TOBO1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | |||||||||||||
IXA40PF1200TDHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs | ![]() | Да | Reel | ||||||||||||
IXA40RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 61 A | 500 nA | 215 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||
IXA90IF650NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT | ![]() | Да | Tube | ||||||||||||
IXBN75N170 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145Amps 1700V | ![]() | Нет | SOT-227B-4 | Tube | |||||||||||
IXG70IF1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE - OTHERS | ![]() | Нет | Tube | ||||||||||||
IXGA24N120C3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 40khz PT IGBTs Power Device | ![]() | Да | Single | 1.2 kV | 48 A | 100 nA | 250 W | TO-263 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGH30N60C3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | ![]() | Нет | 600 V | 600 V | 60 A | 100 nA | 220 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGH56N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | ![]() | Нет | Single | 600 V | 600 V | 150 A | 100 nA | 330 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGH64N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | ![]() | Нет | Single | 600 V | 600 V | 100 nA | 460 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGK300N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 600V 1.6 Rds | ![]() | Да | Tube | ||||||||||||
IXGK320N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | ![]() | Да | Single | 600 V | 600 V | 500 A | 400 nA | 1.7 kW | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGK64N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | ![]() | Нет | 600 V | 600 V | 100 nA | 460 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGN50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode | ![]() | Нет | 1.2 kV | 95 A | 100 nA | 460 W | SOT-227 B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGR72N60A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | ![]() | Нет | 600 V | 600 V | 75 A | 100 nA | 200 W | ISOPLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGT32N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | ![]() | Нет | Single | 1.2 kV | 75 A | 100 nA | 300 W | TO-268 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGT72N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 B3-Class IGBTs | ![]() | Нет | TO-268-3 | Tube | |||||||||||
IXGX300N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs | ![]() | Да | Tube | ||||||||||||
IXGX320N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | ![]() | Нет | Single | 600 V | 600 V | 500 A | 400 nA | 1.7 kW | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGX55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | ![]() | Нет | TO-247-3 | Tube | |||||||||||
IXGX64N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | ![]() | Нет | TO-264-3 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »