Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ600R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FZ600R17KE3_S4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FZ600R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FZ600R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 6500V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FZ750R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 6500V 750A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FZ800R45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FZ900R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS100B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ BASE 1200V 100A | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
IFS100B12N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS100B17N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS150B12N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS150B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS150B17N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS150V12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ SERVE 1200V 150A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
IFS75B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ BASE 1200V 75A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
6MS16017P43W40382 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
6MS16017P43W40383 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
4PS03012S43G30699 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
2PS06017E32G28213 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 325A AC at 690V AC Forced Air | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
TDB6HK180N16RR_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 180A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
TDB6HK180N16RR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
TDB6HK180N16RR_B48 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
TDB6HK240N16P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 240A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
TDB6HK360N16P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 360A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »