Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
STGIPQ3H60T-HLSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V3 AN2DIP-26+ 175 CTube
STGIPQ3H60T-HZSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V3 AN2DIP-26+ 175 CTube
STGIPQ5C60T-HLSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V5 AN2DIP-26+ 175 CTube
STGIPQ5C60T-HZSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V5 AN2DIP-26+ 175 CTube
STGIPQ5C60T-HZSSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V5 A13.6 WN2DIP-26L- 40 C+ 125 C
DF80R07W1H5FPB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетIGBT Silicon Carbide ModulesDual650 V1.4 V20 A100 nAAG-EASY1B-2- 40 C+ 150 CTray
F3L11MR12W2M1B65BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFETНетIGBT Silicon Carbide ModulesDual1.2 kV1.75 V50 A100 nA20 mWModule- 40 C+ 150 CTray
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODEНетIGBT Silicon Carbide ModulesDual1200 V2.2 V40 A200 nA103 WQ0BOOST- 40 C+ 125 CTray
GB100XCP12-227GeneSiC SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPakНетIGBT Silicon Carbide ModulesIGBT-Inverter1200 V1.9 V400 nASOT-227- 40 C+ 175 CBulk
APT100GLQ65JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.85 V165 A150 nA430 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GLQ65JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.85 V165 A150 nA430 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V153 A600 nA446 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V215 A600 nA625 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN120JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V215 A600 nA625 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V220 A600 nA536 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT150GN60JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V220 A600 nA536 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT150GT120JRMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.2 V170 A900 nA830 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT200GN60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V283 A600 nA682 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT200GN60JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V283 A600 nA682 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT30GP60JDQ1Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V67 A100 nA245 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT35GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0036НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V55 A500 nA260 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT35GT120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0037НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V55 A500 nA260 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT40GL120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HOLD CC0102НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V65 A400 nA220 WISOTOP-4- 55 C+ 175 CTube
APT40GL120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0039НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V65 A400 nA220 WISOTOP-4- 55 C+ 175 CTube

Страницы