Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGIPQ3H60T-HL | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 3 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||
STGIPQ3H60T-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 3 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||
STGIPQ5C60T-HL | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 5 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||
STGIPQ5C60T-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 5 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||
STGIPQ5C60T-HZS | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 5 A | 13.6 W | N2DIP-26L | - 40 C | + 125 C | ||||
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 650 V | 1.4 V | 20 A | 100 nA | AG-EASY1B-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFET | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 1.2 kV | 1.75 V | 50 A | 100 nA | 20 mW | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
NXH80B120H2Q0SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 1200 V | 2.2 V | 40 A | 200 nA | 103 W | Q0BOOST | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPak | ![]() | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.9 V | 400 nA | SOT-227 | - 40 C | + 175 C | Bulk | ||||
APT100GLQ65JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 165 A | 150 nA | 430 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT100GLQ65JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 165 A | 150 nA | 430 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT100GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT100GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT150GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 625 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT150GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 625 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT150GN60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 536 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||
APT150GN60JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 536 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||
APT150GT120JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.2 V | 170 A | 900 nA | 830 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT200GN60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | 682 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||
APT200GN60JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | 682 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||
APT30GP60JDQ1 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 67 A | 100 nA | 245 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT35GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0036 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 500 nA | 260 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT35GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0037 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 500 nA | 260 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||
APT40GL120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HOLD CC0102 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||
APT40GL120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0039 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »