Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGLQ150H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6256 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ200A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3210 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 400 A | 480 nA | 1250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ200H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6228 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 350 A | 340 nA | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ200H65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC6254 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 270 A | 300 nA | 680 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ25H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8121 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 50 A | 150 nA | 165 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ25H120T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC20011 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 50 A | 150 nA | 165 W | SP2 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGLQ300A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6253 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 1500 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ300H65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6229 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 650 V | 1.85 V | 385 A | 500 nA | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ300SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6255 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 1500 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ30H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3209 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.95 V | 40 A | 300 nA | 95 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ400A120T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6230 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 2.05 V | 625 A | 680 nA | 1.9 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ40H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8102 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 75 A | 120 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ50DDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3213 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ50H65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8128 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ50H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3211 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ50TL65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3212 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ50VDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3215 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ600A65T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 770 A | 1 uA | 2 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ75H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3167 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 385 W | SP1-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGLQ75H120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4144 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 385 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
APTGLQ75H65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8103 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 650 V | 1.85 V | 100 A | 200 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT100A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3135 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 595 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4101 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT100A170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4094 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT100A60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8013 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »