Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
RGTV60TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V60 A194 W- 40 C+ 175 CTube
RGTVX6TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT WITH LOW COLLECTOR - EMITНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V144 A404 W- 40 C+ 175 CTube
RGTVX6TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V144 A404 W- 40 C+ 175 CTube
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A89 W- 40 C+ 175 CTube
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A89 W- 40 C+ 175 CTube
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V96 A254 W- 40 C+ 175 CTube
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V96 A254 W- 40 C+ 175 CTube
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V33 A72 W- 40 C+ 175 CTube
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V33 A72 W- 40 C+ 175 CTube
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V60 A178 W- 40 C+ 175 CTube
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V60 A178 W- 40 C+ 175 CTube
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V39 A81 W- 40 C+ 175 CTube
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V39 A81 W- 40 C+ 175 CTube
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V78 A214 W- 40 C+ 175 CTube
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V78 A214 W- 40 C+ 175 CTube
GT30J121(Q)ToshibaБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DISНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V20 V30 A- 55 C+ 150 CGT30J121
GT50JR22(STA1,E,S)ToshibaБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT for Soft Switching AppsНетSiGT50JR22
VS-GA250SA60SVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 250 AmpНетSiVS-GATube
VS-GA400TD60SVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 400 AmpНетSiDUAL INT-A-INKSMD/SMTDual600 V20 V750 A1563 W- 40 C+ 150 CBulk
VS-GB90DA120UVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 90 AmpНетSiVS-GBTube
VS-GB90DA60UVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 90 AmpНетSiVS-GBTube
VS-GP100TS60SFPBFVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench PTНетSiINT-A-PAKChassis MountDual600 V-20 V337 A781 W- 40 C+ 150 C
VS-GP250SA60SVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ic 250A Vce(On)1.10V Sngl Brdge Trench PTНетSiSOT-227Chassis MountSingle600 V-20 V380 A893 W- 40 C+ 150 C
VS-GP300TD60SVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PTНетSiDIAPChassis MountDual600 V-20 V580 A1.136 kW- 40 C+ 150 C
VS-GP400TD60SVishay SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PTНетSiDIAPChassis MountDual600 V-20 V758 A1.563 kW- 40 C+ 150 C

Страницы