Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IXYR100N120C3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTsНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.9 V30 V104 A484 W- 55 C+ 175 CIXYR100N120Tube
IXYR50N120C3D1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiTube
IXYT20N120C3D1HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiTO-268HV-2SMD/SMTSingle1.2 kV3.4 V20 V36 A230 W- 55 C+ 150 CTube
IXYT25N250CHVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2500V/95A , HV XPT IGBTНетSiTO-268HV-2SMD/SMTSingle2500 V3.4 V20 V95 A937 W- 55 C+ 175 CHigh VoltageTube
IXYT30N450HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-HI VOLTAGEНетSiTO-268HV-2SMD/SMTSingle4.5 kV3.2 V20 V60 A430 W- 55 C+ 150 CTube
IXYT30N65C3H1HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/60A XPT Copacked TO-268HVНетSiTO-268HV-2Through HoleSingle650 V2.35 V30 V60 A270 W- 55 C+ 175 CIXYT30N65C3Tube
IXYT80N90C3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiPlanarTube
IXYX100N120B3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiTO-247PLUS-3Through HolePlanarTube
IXYX100N120C3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTНетSiTO-247PLUS-3Through HoleSingle1200 V2.9 V30 V188 A1150 W- 55 C+ 175 CIXYX100N120C3Tube
IXYX100N65B3D1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiTO-247PLUS-3Through HoleTube
IXYX120N120B3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiPLUS-247-3Through HoleSingle1.2 kV1.8 V20 V320 A1.5 kW- 55 C+ 175 CTube
IXYX120N120C3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiTO-247PLUS-3Through HolePlanarTube
IXYX140N90C3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3НетSiTO-247PLUS-3Through HolePlanarTube
IXYX25N250CV1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2500V/95A , HV XPT IGBT CopackedНетSiTO-247PLUS-3Through HoleSingle2500 V3.4 V20 V95 A937 W- 55 C+ 175 CTube
IXYX25N250CV1HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2500V/95A , HV XPT IGBT CopackedНетSiTO-247PLUS-HV-3Through HoleSingle2.5 kV3.4 V20 V95 A937 W- 55 C+ 175 CHigh VoltageTube
IXYX30N170CV1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V/108A High Voltage XPT IGBTНетSiTO-247PLUS-3Through HoleSingle1700 V3 V20 V108 A937 W- 55 C+ 175 CTube
IXYX40N450HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage XPT IGBTДаSiTO-247PLUS-HV-3Through HoleTube
IXYY8N90C3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3НетSiTO-252-3SMD/SMTSingle900 V2.5 V20 V20 A- 55 C+ 175 CPlanarTube
MKE38RK600DFELB-TRRIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) CoolMOS Power MOSFETДаSiMKE38RK600DFELBReel
MMIX1X100N60B3H1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARDНетSiTube
MMIX1X200N60B3IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power DeviceНетSiSMDP-21SMD/SMTSingle223 A625 W- 55 C+ 175 CMMIX1X200N60Tube
MMIX1X200N60B3H1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power DeviceДаSiSMDP-21SMD/SMTSingle175 A520 W- 55 C+ 150 CMMIX1X200N60Tube
MMIX4B20N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-BIMOSFETНетSiSMPD-9SMD/SMTTube
RGC80TSX8RGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCTING IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.8 kV2.2 V30 V80 A535 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL60TK60DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V30 A54 W- 40 C+ 175 CTube

Страницы