Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
RGTH00TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V85 A277 W- 40 C+ 175 CRGTH00TS65Tube
RGTH00TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V85 A277 W- 40 C+ 175 CRGTH00TS65Tube
RGTH40TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V23 A56 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH40TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V23 A56 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH40TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V40 A144 W- 40 C+ 175 CRGTH40TS65Tube
RGTH40TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V40 A144 W- 40 C+ 175 CRGTH40TS65Tube
RGTH50TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V26 A59 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH50TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V26 A59 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH50TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V50 A174 W- 40 C+ 175 CRGTH50TS65Tube
RGTH50TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V50 A174 W- 40 C+ 175 CRGTH50TS65Tube
RGTH60TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V28 A61 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH60TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V28 A61 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH60TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop TrenchНетSiThrough Hole650 V1.6 V30 V58 A194 W- 40 C+ 175 CRGTH60TS65Tube
RGTH60TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop TrenchНетSiThrough Hole650 V1.6 V30 V58 A194 W- 40 C+ 175 CRGTH60TS65Tube
RGTH80TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V31 A66 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH80TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V31 A66 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH80TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.6 V30 V70 A234 W- 40 C+ 175 CRGTH80TS65DTube
RGTH80TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247NНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.6 V30 V70 A234 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV00TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A94 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV00TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V45 A94 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV00TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V95 A276 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV00TS65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V95 A276 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV60TK65DGVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V33 A76 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV60TK65GVC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.5 V30 V33 A76 W- 40 C+ 175 CTube
RGTV60TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBTНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.5 V30 V60 A194 W- 40 C+ 175 CTube

Страницы