Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
RGCL60TK60GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V30 A54 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL60TS60DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.4 V30 V48 A111 W- 40 C+ 175 CBulk
RGCL60TS60GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.4 V30 V48 A111 W- 40 C+ 175 CBulk
RGCL80TK60DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V35 A57 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL80TK60GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle600 V1.4 V30 V35 A57 W- 40 C+ 175 CTube
RGCL80TS60DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.4 V30 V65 A148 W- 40 C+ 175 CBulk
RGCL80TS60GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-247N-3Through HoleSingle600 V1.4 V30 V65 A148 W- 40 C+ 175 CBulk
RGPR10BM40FHTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle460 V1.6 V10 V20 A107 W- 40 C+ 175 CRGPAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPR20NS43HRTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle460 V1.6 V10 V20 A107 W- 40 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPR30BM40HRTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle430 V1.6 V10 V30 A125 W- 40 C+ 175 CAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPR30NS40HRTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle430 V1.6 V10 V30 A125 W- 40 C+ 175 CRGPAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGPZ10BM40FHTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBTНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle460 V1.6 V10 V20 A107 W- 40 C+ 175 CRGPAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
RGS00TS65DHRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650VНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V88 A326 W- 40 C+ 175 CAEC-Q101Tube
RGS00TS65HRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V88 A326 W- 40 C+ 175 CTube
RGS50TSX2DHRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle1200 V1.7 V30 V50 A395 W- 40 C+ 175 CTube
RGS50TSX2HRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle1200 V1.7 V30 V50 A395 W- 40 C+ 175 CTube
RGS60TS65DHRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V56 A223 W- 40 C+ 175 CTube
RGS60TS65HRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V56 A223 W- 40 C+ 175 CTube
RGS80TS65HRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V73 A272 W- 40 C+ 175 CTube
RGS80TSX2DHRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle1200 V1.7 V30 V555 W- 40 C+ 175 CTube
RGS80TSX2HRC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCHНетSiTO-247N-3Through HoleSingle1200 V1.7 V30 V80 A555 W- 40 C+ 175 CTube
RGT00TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247NНетSiTO-247N-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V85 A277 W- 40 C+ 175 CTube
RGT16BM65DTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO-252-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V16 A94 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT16NL65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-263L-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V16 A94 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT16NS65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-262-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V16 A94 W- 40 C+ 175 CTube

Страницы